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everspin 并行MRAM芯片MR4A16BMA35R

已有 9192 次阅读2018-5-24 10:08 |个人分类:分享推荐|系统分类:存储器| MR4A16BMA35R

Everspin MR4A16BMA35R容量:16Mb数据结构:1Mb*16总线速度:35ns工作电压:3.3V工作温度:C,M-0~+70摄氏度)16位并行总线接口,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。这款器件能够在商业级(0+70 °C)、工业级(-40+85 °C)与扩展级(-40+105 °C)温度范围内工作,并在整个温度范围内保持高度可靠的数据存储能力。MR4A16B采用48引脚球栅阵列 (BGA) 小型封装和54引脚微小外形封装 (TSOPII)



特性



读取/写入周期时间:35ns



真正无限次擦除使用



业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性



可取代多种存储器----集闪存、SRAMEEPROM以及BBSRAM的功能于一身



采用MRAM取代电池供电的SRAM方案,解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题



掉电数据自动保护



具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围



符合RoHS、兼容SRAM TSOPII封装



符合RoHS、兼容SRAM BGA封装(板面积缩小了3倍)



16位并行总线接口MRAM









深圳市英尚微电子有限公司是一家专业的静态随机记忆体产品及方案提供商,十年来专业致力代理分销存储芯片IC, SRAMMRAMpSRAM FLASH芯片、SDRAMDDR1/DDR2/DDR3)等,为客人提供性价比更高的产品及方案。



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回复 英尚微电子 2018-8-14 14:52
Everspin MR4A16BMA35R容量:16Mb数据结构:1Mb*16总线速度:35ns工作电压:3.3V工作温度:C,M(-0~+70摄氏度)16位并行总线接口,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。

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