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遇到一个GD32E230C8T6奇怪的问题(初次上电无法启动)
这个电路之前用的是STM32G0C8T6，工作的一直没问题，最近发现GD32E230C8T6非常便宜就打样几块板回来，只更换了单片机，其他一个器件没动；现在遇到一个从没遇到过的问题：
1）完全断电的情况下，第1次上电无法启动，硬件复位也不行，只能重新断电再上电就正常启动，启动后,然后运行也没问题；
2）短时间断电（电容电未放完）的情况下重新上电也能启动；手动给电容放电后，再上电第一次也无法启动；
电路也比较简单，就锂电池供电，1路LDO3.3V供MCU和外设，一路LDO供TM1628A，搞了几天天，各种器件拆拆补补也没解决问题。
程序使用的内部IRC8M，没焊外部8M晶振，希望大家帮忙一起排查一下，谢谢！
尝试办法：用示波器测试了MOS开关，3.3V没有毛刺，有1K+0.1uF的缓启动电路；复位也尝试改为1uF+10K，问题也依旧，找不到方法了
1）完全断电的情况下，第1次上电无法启动，硬件复位也不行，只能重新断电再上电就正常启动，启动后,然后运行也没问题；
2）短时间断电（电容电未放完）的情况下重新上电也能启动；手动给电容放电后，再上电第一次也无法启动；
电路也比较简单，就锂电池供电，1路LDO3.3V供MCU和外设，一路LDO供TM1628A，搞了几天天，各种器件拆拆补补也没解决问题。
程序使用的内部IRC8M，没焊外部8M晶振，希望大家帮忙一起排查一下，谢谢！
尝试办法：用示波器测试了MOS开关，3.3V没有毛刺，有1K+0.1uF的缓启动电路；复位也尝试改为1uF+10K，问题也依旧，找不到方法了
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解决方案2：官方提供的可以试试
2.1系统方面的注意事项2.1.1 HSE相关内容修改
在V3.x的库，启动时间宏定义在xxx32f10x.h头文件中；
在V3.0以前的库，其启动时间宏定义在xxx32f10x_rcc.c中（HSEStartUp_TimeOut）；
修改前：
//#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0x0500) /*!< Time out for HSE start up */
修改后：
#define HSE_STARTUP_TIMEOUT ((uint16_t)0xFFFF) /*!< Time out for HSE start up */
修改原因：
GD和STM32的晶振部分电路设计有一定的差异，两者对外部高速晶振的参数要求也不一样，
修改HSE_STARTUP_TIMEOUT宏定义可以保证晶振正常起振。当然你会在应用中发现有一些应用
不修改也能照常跑，这是由于晶振的参数差异造成了，为了保证程序的正常运行还是修改该宏定义。
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2022-05-30
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2022-05-02
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2022-05-01
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2022-05-01
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2022-05-01
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2022-05-01
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2022-04-07
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