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求教:插件晶体外壳接地会导致晶体不良吗?

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chenzhouyu|  楼主 | 2017-7-13 17:09 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
本帖最后由 chenzhouyu 于 2017-7-15 08:17 编辑

大家好!
      求教一个问题:有一款旧产品使用的是插件的晶体,8Mhz的,金属外壳用锡与GND连接,使用的是无铅锡丝,烙铁的温度是350℃,焊接时间3S。说是要起到屏蔽和固定的作用。问题来了,有个客诉就是晶体不能正常工作,一个引脚量的到波形,峰峰值只有正常的一半;领一个引脚测测不了信号;换一个晶体就好了。这个产品还用很硬的环氧树脂灌封,应该对晶体没什么影响吧?
          先谢谢大家!

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沙发
gx_huang| | 2017-7-13 17:23 | 只看该作者
影响有2点:
1、外壳高温焊接,可能导致晶体坏了,比如开路了,导致不起振。
2、外壳接地,晶体的负载电容变化了,晶体的特性也变化了,导致频率或者幅度变化。可以考虑减少外部的负载电容。

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chunyang| | 2017-7-13 18:26 | 只看该作者
跟环氧树脂无关,是晶体本身的问题,可能是坏了,可能是参数跟振荡电路不配。具体原因需要测试故障设备上拆下来的晶体。

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地板
chenzhouyu|  楼主 | 2017-7-15 08:20 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-7-13 18:26
跟环氧树脂无关,是晶体本身的问题,可能是坏了,可能是参数跟振荡电路不配。具体原因需要测试故障设备上拆 ...

版主,测试插件的晶体是否不良有什么好方法推荐吗

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5
chenzhouyu|  楼主 | 2017-7-15 08:20 | 只看该作者
gx_huang 发表于 2017-7-13 17:23
影响有2点:
1、外壳高温焊接,可能导致晶体坏了,比如开路了,导致不起振。
2、外壳接地,晶体的负载电容 ...

这两点都有可能。我试试看!

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6
jjjyufan| | 2017-7-15 11:30 | 只看该作者
既然灌胶 ,外壳不用接地
接地焊接 温度时间没控制好,很容易坏

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7
chenzhouyu|  楼主 | 2017-7-15 11:38 | 只看该作者
jjjyufan 发表于 2017-7-15 11:30
既然灌胶 ,外壳不用接地
接地焊接 温度时间没控制好,很容易坏

是有这个隐患。看来得改

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8
chunyang| | 2017-7-16 17:22 | 只看该作者
chenzhouyu 发表于 2017-7-15 08:20
版主,测试插件的晶体是否不良有什么好方法推荐吗

如果待测的晶体很多,有现成的晶体测量仪,也不算贵。如果只是一般的功能测试,则没有必要,应该通过选择合适的供应商来解决问题。在应用中需注意,晶体并非随便拿来就能用的很好,需要设计到位,生产工艺也有讲究。

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9
chenzhouyu|  楼主 | 2017-7-17 07:57 | 只看该作者
chunyang 发表于 2017-7-16 17:22
如果待测的晶体很多,有现成的晶体测量仪,也不算贵。如果只是一般的功能测试,则没有必要,应该通过选择 ...

好的,谢谢版主!

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