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强信号干扰

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feiqi1|  楼主 | 2017-7-24 21:40 | 显示全部楼层 |阅读模式
下面程序每1秒中断一次,每60秒存储一次,SIFCNT是单片机用来记数的计数器,记每秒的瞬时流量,Total_flow是总流量,结果写入FLASH正常,可是每过60秒FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大,不是正常的大但每次数都不一样没什么规律性,求大虾帮找找原因,为什么每次FLASH写入后一秒左右One_T都会变的很大????????忙了两天都没结果!!!!

void main(void)

{    SystemInit();   //初始化

     InitScanIF();

     LCD_Init();   

     cl_lcd();      //清屏



    Total_flow=ReadFloat((uint16 *)addr_T_F);   // 读累计流量



    WDTCTL = WDT_ADLY_1000;   //每1秒中断

    _EINT();

    IE1 |= WDTIE;         ///使能WDT中断



    while (1);

}  



#if __VER__ < 200

    interrupt [WDT_VECTOR] void ISR_WDT(void)

#else

    #pragma vector=WDT_VECTOR

    __interrupt void ISR_WDT(void)

#endif   

    { One_T=SIFCNT;

      Total_flow=Total_flow+One_T;

      Writ_flag++;        

      if (Writ_flag>=60)  

      { _DINT();

       Erase((uint16 *)addr_T_F);         //擦除累计流量

       WritFloat((uint16 *)addr_T_F, Total_flow);  //写累计流量

       Writ_flag=0;                               // 写时间标志置0

        _EINT();

       }

     }
androidbus| | 2017-7-24 21:40 | 显示全部楼层
检查程序有没有溢出之类。。

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litengg| | 2017-7-24 21:50 | 显示全部楼层
这个可以检查下程序结构部分的吧。

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qiangweii| | 2017-7-24 21:52 | 显示全部楼层
flash存储的跟强信号的有啥关系的?

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shashaa| | 2017-7-24 21:58 | 显示全部楼层
有可能是flash所使用的总线的电平信号不稳吧

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sourceInsight| | 2017-7-24 22:00 | 显示全部楼层
干扰信号有什么问题??电流过大??

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boy1990| | 2017-7-24 22:05 | 显示全部楼层
不影响存储器的读写就没有问题。

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CallReceiver| | 2017-7-24 22:10 | 显示全部楼层

这个强信号指的是什么???

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hfdy01| | 2017-7-24 22:15 | 显示全部楼层
是电流过大造成的吧。

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xia00| | 2017-7-24 22:17 | 显示全部楼层
应该是使用隔离电源试试。

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handleMessage| | 2017-7-24 22:24 | 显示全部楼层
这个干扰信号是怎么测量出来的?

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zhouhuanの| | 2017-7-24 22:26 | 显示全部楼层
存储器的问题,添加多个电容试试。

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zhouhuanの| | 2017-7-24 22:28 | 显示全部楼层
存储器的问题,添加多个电容试试。

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