芯片设置读保护用法

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 楼主 | 2018-9-30 11:59 | 显示全部楼层 |阅读模式
描述:由于GD 的Flash 是自己的专利技术,STM 的Flash 是第三方提供的,所以GD 的Flash 和STM 的Flash 有些许差异。GD 的擦除时间会长一点.

    解决方法:在写完KEY 序列以后,需要读该位,确认key 已生效。 所以,这里应该插入

While( ! (FLASH->CR & 0x200 ) ); // Wait OPTWRE 或可简单插入两个NOP。

__NOP();

__NOP();

在ST 库中,只有

FLASH_Status FLASH_EraseOptionBytes(void)

FLASH_Status FLASH_ProgramOptionByteData(uint32_t Address, uint8_t Data)

FLASH_Status FLASH_EnableWriteProtection(uint32_t FLASH_Pages)

FLASH_Status FLASH_ReadOutProtection(FunctionalState NewState)

四个函数需要修改。

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