STM32F103C8T6内部FLASHROM读写问题

1万 · 2020-7-15 22:15

本帖最后由 xxdcq 于 2020-7-15 22:17 编辑

一个程序里先写入不断电再读出是正常的，断电后再读出全是FF，难道内部FLASHROM不能掉电保存？相当于SRAM，还是写操作有什么诀窍？需要注意哪些东西？

只看该作者 · 2020-7-16 10:47

代码问题，鉴定完毕

只看该作者 · 2020-7-16 10:48

建议拿一个示例代码跑一下

1万 · 2020-7-16 11:11

酱油、有点甜发表于 2020-7-16 10:48
建议拿一个示例代码跑一下

是用的示例程序，读写程序用的STM32库函数

只看该作者 · 2020-7-16 13:13

xxdcq 发表于 2020-7-16 11:11
是用的示例程序，读写程序用的STM32库函数

那可能是硬件电路问题，电容的放电太快了，不足以支撑保存的时间。

1万 · 2020-7-16 21:46

本帖最后由 xxdcq 于 2020-7-16 21:47 编辑

酱油、有点甜发表于 2020-7-16 13:13
那可能是硬件电路问题，电容的放电太快了，不足以支撑保存的时间。

这种说法不成立，如果是电容放电太快保存不进去那烧程序为什么能烧进去。都是烧写的同样的flashrom
已经测试了，我在3.3V上加了470uF的电容还是写不进去

只看该作者 · 2020-7-16 22:12

擦出时间比较长，，，建议初始化就先擦除，，，掉电后直接写入，节约擦出时间

1万 · 2020-7-18 00:49

纠结了几天的问题总算找到原因了。
原来我用的两个程序，一个只是写FLASH,分别在0x806000和0x806002写入0x0001和0x0203(程序大小没有超过0x806000)。
另一个只是读FLASH的程序。
先烧写FLASH的程序运行，其实数据已经成功写进去了，然后再烧读FLASH的程序，发现烧程序首先是全片擦除，刚才写进去的数据实际上已经被全部擦除了，
运行读程序读出的肯定全是FF了。

STM32F103C8T6内部FLASHROM读写问题

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