STM32f1xxx的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器等3部分组成。
各个部分的大小因不同型号有一定的差异，数据手册中可以看到
小容量产品主存储块1-32KB，每页1KB。系统存储器2KB。
中容量产品主存储块64-128KB，每页1KB。系统存储器2KB。
大容量产品主存储块256KB以上，每页2KB。系统存储器2KB。
主存储器：该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。对于大容量产品，其被划分为256页，每页2K字节。注意，小容量和中容量产品则每页只有1K字节。从上图 可以看出主存储器的起始地址就是0X08000000， B0、B1都接GND的时候，就是从0X08000000开始运行代码的。
信息块：该部分分为2个小部分，其中启动程序代码，是用来存储ST自带的启动程序，用于串口下载代码，当B0接V3.3，B1接GND的时候，运行的就是这部分代码。用户选择字 节，则一般用于配置写保护、读保护等功能
闪存存储器接口寄存器：该部分用于控制闪存读写等，是整个闪存模块的控制机构。
在进行内部flash模仿eeprom时可以操作主存储器部分的空间，程序代码占一部分，留下一部分用于存储你想要存储的信息，只是模拟的eeprom的读写操作还是要遵循flash的操作方法，另外还需要注意stm32闪存操作的流程注意事项
FLASH_Unlock();//解锁
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清楚标志
FLASH_ErasePage(0x8002000);//擦除
while(count < 5)
{
FLASH_ProgramHalfWord((0x8002000 +count*2),data[count]); //flash 为一个字节存储，16位数据必须地址加2
count++;
}
FLASH_Lock();//加锁
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