旁路电容作为 C 型滤波器（去耦电容）的应用领域较广， C 型滤波器随着电容的阻抗的减小，插入损耗 IL 就会增加。电容阻抗与频率成反比成为低通滤波器，理想情况下，频率越高插入损耗越大。
除了 C 型还有 LC 型以及 PI 型滤波器，在 C 型滤波器基础上再在 MCU 远端电源线上串一个电感/磁珠就成为 LC 滤波器，在 LC 滤波器基础上再远端在并一个电容就是 PI 型滤波。如图 2-5. MCU 电源滤波器配置
当电容器和电感器结合，如图 2-5 MCU 电源滤波器配置（b）和（c）所示，与只使用电容器相比，插入损耗特性曲线斜度会更陡。
因为在衰减区，插入损耗会同时增加，当噪声需要大大削弱时，这种方法更为有用。
如图 2-6. 加入磁珠以后的滤波器插入损耗实例显示当加入电感器后，插入损耗的变化实例。
由于 MCU 的 GND 引脚与最近的电容 GND 成为噪声返回路径，所以尽量缩短两者距离来降低阻抗，当 CLC-PI 型滤波器 layout 时，两侧电容最好走之字使电容 GND 通过 VIA 分开。因为 PI 型和 LC 滤波对于干扰噪声具有较大的插入损耗，所以在抗干扰 EMS 防护MCU 时，组合去耦电路的应对强干扰的效果更好。
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