307rt-thread中用flashdb保存参数的吗？为什么kv越多越慢呢？

只看该作者 · 2023-9-1 06:26

307大家有在rt-thread中用flashdb保存参数的吗？为什么kv越多越慢呢？由于设备参数太多，估计有2000--3000条。运行日志也需要保存下来。所以我用了w25q32，采用flashdb来保存参数和日志。
但是实际使用中发现flashdb随着参数写入的增多，写入速度越来越慢，读取速度也越来越慢。不知道大家遇到过没有，如何解决这个问题呢？或者有其他嵌入式好用的KV数据推荐吗？

只看该作者 · 2023-9-1 10:20

本帖最后由 LIzs6 于 2023-9-1 10:22 编辑

具体没有应用过，在RT-Thread论坛有看到你发的贴子，有专家应该给到相关建议了
https://club.rt-thread.org/ask/question/e411803705e55d99.html
此外，还找到一个相关的帖子，你可以看一下：
https://club.rt-thread.org/ask/question/72d906190d487483.html

只看该作者 · 2023-9-1 13:35

LIzs6 发表于 2023-9-1 10:20
具体没有应用过，在RT-Thread论坛有看到你发的贴子，有专家应该给到相关建议了
https://club.rt-thread.org ...

是的，但是也确实对于flashdb来说，好像也没什么别的办法了

只看该作者 · 2023-9-5 15:38

运行的速度受印象了吗

只看该作者 · 2023-9-5 15:51

这个不可以的。

只看该作者 · 2023-9-5 16:14

kv是什么意思呢

1万 · 2023-9-5 18:24

可以保存在外部flash中

2万 · 2023-9-5 22:36

你还想kv越多越快？

只看该作者 · 2023-9-6 13:45

在RT-Thread中，可以使用FlashDB来保存参数。 FlashDB是一个基于Flash的键值存储系统，可以将数据以键值对的形式存储在Flash中。

当存储的键值对越多时，FlashDB的读写操作会变得越慢。这是因为Flash存储器的特性决定了它的读写速度与擦除操作相关。在Flash中，数据是以块的形式进行擦除和写入的，而每次擦除操作需要耗费一定的时间。当存储的键值对越多时，FlashDB可能需要频繁地进行擦除和写入操作，导致速度变慢。

另外，FlashDB的性能还与底层Flash芯片的性能有关。不同的Flash芯片具有不同的擦除和写入速度，因此在选择Flash芯片时，需要考虑其性能指标以及应用场景的需求。

为了提高FlashDB的性能，可以尝试以下几种方法：
1. 减少存储的键值对数量，只保存必要的参数。
2. 使用更高性能的Flash芯片。
3. 考虑使用其他存储方式，如RAM或文件系统，根据具体应用场景选择合适的存储方式。

总之，FlashDB在存储大量键值对时可能会变慢，因此需要根据实际需求和性能要求做出合理的选择。