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APM32E103VET6S在SDRAM、SRAM执行的Coremark性能

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本帖最后由 shanyuxiang 于 2024-5-19 00:25 编辑


APM32E103VET6S在SDRAM、SRAM执行的Coremark性能


APM32E103VET6S除了是一款增强型Cortex®-M3内核MCU外,还合封了2MB的SDRAM,
同时拥有三种存储介质的MCU性能到底如何?
下面用常用的性能基准测试Coremark来测试一下。

影响MCU性能一般有以下几种因素:内核、主频、优化等级、编译器,程序执行介质,
其中主频、执行介质是本次对比测试的重点。
APM32E103最高支持120MHz的主频;存储器有Flash、SRAM、SDRAM这三种介质都支持程序的执行。


通过boot加载不同执行区域、不同主频的测试app,优化等级统一设到最高,数据区定在sram,代码区分别定在以下三种介质中:
Flash

SDRAM

SRAM

测得以下下测试数据:


总结一下测试结果,主频提升性能也随之提升,程序在SDRAM执行最慢,而在SRAM和Flash执行相对来说快很多,
其中在120M主频下的SRAM执行达到最高性能217分。





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caigang13| | 2024-5-4 21:30 | 只看该作者
FLASH只是存储代码,运行最终是在RAM中。

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shanyuxiang|  楼主 | 2024-5-4 21:43 | 只看该作者
caigang13 发表于 2024-5-4 21:30
FLASH只是存储代码,运行最终是在RAM中。

运行有在SRAM 也有在Sdram和flash哈

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