在【分析】方面，一般模电书至少拿出两章来，从半导体物理特性方面着手介绍二极管、三极管的基本特性及定量计算公式。
而【设计】方面，定量计算并不重要，因为手工计算根本不可能太精确，原因如下：
以三极管的GP模型为例，多达45个参数尚且不能准确仿真饱和和结击穿特性，更何况手工分析只用屈指可数的几个参数？
所以站在设计的角度看，最最重要的是理解**几个常见量及相关量之间的关系，究竟是变大还是变小（或变多还是变少），而具体量是多少并不重要。
以BJT为例，对于输出特性曲线这个重要的直流值，理解其三个区：饱和、有源和击穿。
一般SPICE中不包含击穿区，所以如果器件工作点进入该区域，则应加一齐纳二极管模拟。
用来定义集电极电阻的鳄梨电压VA，会在很大范围内变化，几乎每条输出特性曲线都对应不同的VA，根本不像教科书所说的那样，是个定值。
电流增益beta,不但随温度，还随IC变化，从小变大，当到达GP模型中的IKF后，急剧下降。2N2222A的IKF约为30mA.
所以增益beta是最不可靠的一个参数。
反向电流IS严重依赖于温度（大约是4次方）。
热电压VT在300K，根据工艺不同在22mV到30mV之间。
VBE的负温度系数具有一定的非线性，是带隙基准的主要误差源。而且VBE还是机械应力的函数。
MOS管阈值电压VT更是复杂，短沟道体效应导致它与L、VSB和VDS相关，窄沟道体效应使它与W和VSB等相关。而迁移率更是与一堆变量相关。
综上，BJT和MOS管中，没几个参数是靠得住的，手算注定误差会很大，时常大的离谱，所以，弄清参数的变化趋势而非具体大小，才是关键。试图使手算和仿真结果之间误差在20%以内，难，除非用图表法之类的相关技术。
|
楼主
