关于光耦驱动MOSFET经常烧坏的问题
FOD3182驱动MOSFET烧坏问题控制光耦FOD3182驱动输出，FOD3182就会烧坏 电路设计是不是存在什么问题？经验不足 本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 16:23 编辑
要驱动端的上升下降时间短，你用示波器看看，驱动电流要够一般15mA，输入电流小了，内部2个MOSFET不能完全导通和完全截止就会烧。输入电流上升沿，下降沿要陡。
本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 16:53 编辑
中间两个MOSFET好像是多余的，FOD3182的输出能力很强啊，3A难道还不够吗？ 中间两个管子是反向器，控制PMOS,默认让它为关断状态，
Ra9是200欧的，计算输入电流11mA左右，控制信号为方波，不存在同时导通的可能。 加一级双mosfet非门，原来是为了反相
你的11mA是怎么计算出来的，我算才3.5mA
很简单，你测量一下200欧姆上的电压，就可以知道电流多大了
你把电阻改到51欧姆试试，最大电流可以25mA的 和输入端关系应该不大，输入端电流大小只能决定导通或者是关断，不能导致输出级导通损坏
之前是1K电阻，完全导通不了
我调整到200欧，可以正常开通关断
发光二极管导通压降一般1.2V左右，计算的输入电流 本帖最后由 oldzhang 于 2015-7-29 17:25 编辑
发光二极管也有2.5V到2.6V的导通电压,如果光电流不足10mA,会使得里面的两个mosfet处于放大状态，就会电流很大，会烧坏的，最好测量一下限流电阻上的电压，根据电压看看驱动电流够不够。 我用的对称电路，下路驱动NMOS的还有一路，中间没有反向器，工作正常。
所以分析不应该是输入电流问题。
那就怪了，
不过200欧姆限流电阻确实有些大，换100欧姆完全可以 本帖最后由 xueweibo0830 于 2015-7-30 10:05 编辑
哦！谢谢你，我测量电阻两端电压1.9V，200欧，9.5mA,有点偏低。
但光耦损坏不是这个原因
pin5,和pin8之间的104电容很重要，确保最短路径连接了？否则内部放大器容易震荡，忘了在哪家的DATASHEET看到的了。 现在是光耦损坏，不是 场管损坏，即使同时导通也不应该损坏光耦啊！ 你用的这个型号感觉是，光MOS继电器吧？
如果是的话，一般是输出过流损坏；
我们以前用台湾的类似器件，也存在损坏情况；
后面使用的时候，设计上会留很大余量； 不是光MOS继电器，是个快速光耦！
原因可能是电路高频开关,引起电路震荡导致20V不稳造成的光耦损坏. 虽然手册要求10mA，但是9.5mA应该能导通了，做好退偶，光耦输出的100欧姆一定要串，光耦的20v电源最近的地方在加退偶电容，22uF并104 学习了
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