xzcj87 发表于 2010-7-29 21:50

学习 应用中

dawlen 发表于 2010-7-30 17:29

减小R5；3906换成8550。
按你说的功能，建议该电路放置于芯片复位端较好

fzjswn 发表于 2010-9-19 14:17

应该把R3移动Q2的集电极，否则Q2导通后，Q1的基极电位被R3、R5钳位在2.5V左右，Q1 才不能可靠导通

15008139337 发表于 2010-9-24 10:30

为什么 减小 R5 能提高带负载能力呢 ？谁解释一些呢

xiaoaihua 发表于 2010-9-28 08:55

R1上并一个电容保持三极管导通的时间，R5减小至100欧或者220欧，你看看，前级没什么负载，烧是不大可能的！

zcwking 发表于 2011-10-6 15:14

学习了 ，各位大大

yuan520 发表于 2011-10-19 22:22

真的是受教了！

andy1wang 发表于 2011-10-20 12:22

学习了

xiaotann 发表于 2011-10-20 15:56

挺好的

randyhsd 发表于 2011-10-20 16:28

R5 不要了 R3增大一点不是可以很容易地保证饱和了么 呵呵

diguomeng 发表于 2011-10-20 20:12

看不到

savvy1988 发表于 2011-11-19 12:31

18楼说得没错，问题就是你的R1太小，使得Q2基极电压不够大，，增大R1，提高基极电压，就可以是Q2工作在饱和状态

pennygongzi 发表于 2011-12-2 10:22

拿掉R5就好了。其它都OK。

xiaotann 发表于 2011-12-2 16:18

BDDE

xubx83 发表于 2011-12-3 10:03

打个印

jackyard 发表于 2011-12-7 16:38

减小R5的值就可以了

karolyte 发表于 2011-12-7 21:50

是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

karolyte 发表于 2011-12-7 21:50

是不是改变R3和R5其中一个得阻值就行了？依据的又是什么呢？

dandan0207 发表于 2011-12-17 08:59

Q1容易被烧毁？你输出功率多大啊？？？

dandan0207 发表于 2011-12-17 09:02

用MOS管。
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