如何估算普通MOSFET的S参数
30MHz 5W放大器，看网上可以采用普通的MOSFET实现，不一定要采用RF MOSFET比如IRF510，由于其输入/输出电容较小，甚至可以做到50MHz
但是问题是，这类MOSFET的datasheet上没有给出测量的S参数值，只给出了常规的值
请问，如果根据Ciss，Coss，Crss以及增益特性估算出S参数（或者其输入和输出阻抗计算方法）呢？不需要很精确，我想的是估算出大概值，然后计算稳定性和阻抗匹配，然后用软件模拟，根据模拟结果微调，最后再试验
请问，这方面有参考资料么？ re LZ：
根据等效模型可以估算出S参数，但和实际误差一般较大。这不仅是理想模型和实际器件的差异，而且还存在器件参数的离散性。靠谱的是实测。 这个确实是需要测试的，否则厂家会给出。 本帖最后由 EAMCU 于 2011-10-21 09:19 编辑
2# HWM
能给个等效模型到S参数推导的参考资料么？先了解一下 3# chunyang
因为不是专门的RF MOSFET，是普通电源用的MOSFET，所以厂家并未给出针对RF应用的S参数。
我自己没有测试设备。。。 to 6L：
MOSFET的高频等效模型可以到相关书中找（高频电子电路与器件类）。S参数可以按其定义直接从与模型对应的二端口网络中导出（射频和微波类书中都有阐述）。现在问题是普通MOSFET数据手册中的参数在高频下是否可用，如果不能保证的话（通常不能），算出的数据也没什么意义。
其实，不如就实际盲调一下（30MHz不算太高），也许瞎猫还真碰上了死耗子。 30M的频率还不是很高，如果外部引线不太长，分布参数影响可控的话，完全可以在PSPICE中修改MOS管参数进行仿真。 根据等效模型进行了初步计算，有个新问题，究竟是Z矩阵的Z11是输入阻抗，还是h矩阵的h11是输入阻抗？ to 10L：
Z是阻抗（自阻或互阻）参数，而h则是混合参数，两者定义不同。
Z11定义的是输出开路时的输入阻抗（电压源），而h11定义的是输出短路时的输入阻抗（电流源）。但有一点是共通的，它们都是输出空载时的输入阻抗。 那么晶体管放大器中，把输入部分的阻抗匹配成50ohm，应该选哪个作为放大部分的输入阻抗呢？ to 12L：
晶体管通常使用混合（即h）参数。 不知这样可以不？
建立大信号模型。
用一般的MOSFET模型适当的修改，建立仿真模型进行loadpull参数提取，然后再设计。
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