fanstyaaaa 发表于 2011-11-21 18:29

求高手解决mos管及续流二极管发热问题，谢谢。


如图所示MOS管驱动电路，电路参数见标识，L1为工作电压24V电磁铁，内阻7欧姆，长期工作在吸合状态。
现有如下问题，望兄弟们指点：
1.当PWM频率升高（100~10K）到10K的时候，MOS管发热严重，掉落。电磁铁驱动电流在合理范围内。理论上10K频率不算高啊，也远远没超过MOS管的极限值。
后来对比PWM输入和MOS管栅级波形，发现严重失真，考虑到MOS管内节电容影响，R6=6.8K太大而影响放电时间，从而加大开关损耗。于是将R6改为470欧（保证栅极驱动电压10~12V）再测试，频率还是从100调到10K，结果10K左右MOS管不发热了，但是图示D1 IN5408严重发热，有百多度。我怀疑是续流二极管开关频率不够？？
想请教下大家，究竟是什么原因，还有此种情况下续留二极管要怎么选？有没有型号可以推荐？
附1N5408电流波形图，通道1，正向电流0.94A。通道2：低电平为mos管导通。

2.驱动电路两个三极管起什么作用？反向？缓冲？驱动电路有没有问题？
3.栅极驱动电流对这些有没有影响？

fanstyaaaa 发表于 2011-11-21 18:30

这个问题查了好几天了，很是苦恼！

fanstyaaaa 发表于 2011-11-21 18:33

补充一下：电磁铁频率要上到15K以上才没有噪音，比较稳定。
但现在频率调不上去了。占空比控制的电流都在额定范围内。

t.jm 发表于 2011-11-22 08:31

MOS管驱动电路太差了，重新设计吧!
不信你把R6改为200R发热就能减小一些！

fanstyaaaa 发表于 2011-11-22 12:57

4# t.jm
能给个设计方案吗？

t.jm 发表于 2011-11-22 13:09

1:可以改用MOS管驱动IC去驱动。
2:用分立元件驱动时要注意，关断不能靠电阻去泄放栅极电容储存的电荷，必须用快速关断。

零下 发表于 2011-11-22 14:15

mos管可以采用推挽的结构驱动，二极管应该选用快恢复二极管或肖特基二极管

xmar 发表于 2011-11-22 16:03

图示D1 IN5408严重发热，有百多度。就是续流二极管开关频率不够。改为快恢复二极管。

xwj 发表于 2011-11-22 16:06

LS 正解。
LZ你拿着工频整流管去作几十KHz的电流续流管，能用就怪了。

wangjunjun2005 发表于 2011-11-22 18:29

8楼正解

fanstyaaaa 发表于 2011-11-26 08:00

谢谢各位!

cp736421469 发表于 2014-10-17 14:05

MOS管放电可以再栅极并联一个反向二极管

YEO 发表于 2014-10-19 17:22

学习

zzyfidy 发表于 2014-10-31 17:22

续流二极管上要串接一个电阻，否则频繁高压冲击会损坏二极管。加了电阻能量可以耗很大一部分到电阻上去。
MOS发热是由于处于放大区间时间过长，解决办法可以在R5处并一个电容启加速作用，这样上升时间和下降时间会缩短，MOS管就不发烫了。
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