如图所示MOS管驱动电路，电路参数见标识，L1为工作电压24V电磁铁，内阻7欧姆，长期工作在吸合状态。
现有如下问题，望兄弟们指点：
1.当PWM频率升高（100~10K）到10K的时候，MOS管发热严重，掉落。电磁铁驱动电流在合理范围内。理论上10K频率不算高啊，也远远没超过MOS管的极限值。
后来对比PWM输入和MOS管栅级波形，发现严重失真，考虑到MOS管内节电容影响，R6=6.8K太大而影响放电时间，从而加大开关损耗。于是将R6改为470欧（保证栅极驱动电压10~12V）再测试，频率还是从100调到10K，结果10K左右MOS管不发热了，但是图示D1 IN5408严重发热，有百多度。我怀疑是续流二极管开关频率不够？？
想请教下大家，究竟是什么原因，还有此种情况下续留二极管要怎么选？有没有型号可以推荐？
附1N5408电流波形图，通道1，正向电流0.94A。通道2：低电平为mos管导通。
2.驱动电路两个三极管起什么作用？反向？缓冲？驱动电路有没有问题？
3.栅极驱动电流对这些有没有影响？ |
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