单结晶体管工作原理
本帖最后由 xukun977 于 2020-5-20 12:30 编辑发帖原因:网上和教科书上,说的太粗略了,补充一下。
首先注意结构特点:P发射结不是在N型材料的中间位置,而是偏上,靠近B2端,数量上是60%--75%位置段。
这个特点决定了这个器件不是上下对称的。
研究器件的电路特性,有多种方法,一是研究半导体物理,由底层器件物理推导出伏安特性;另一种方法是直接看等效电路,对于基础知识有所欠缺的,可以省力
单结晶体管的等效模型为:
二极管D2是模拟啥的? 是那个甚么「电导调制」令rb1减少吧?
页:
[1]