该数值满足 HSA8000 可检测的输入范围（0–1.8V）。
为了提高开关节点的灵敏度，可以与该电阻分压器并联一个电容分压器。电容值可根据以下公式进行选择：
因此电容 CSN1与 CSN1的电容值可分别选为 1 pF 以及 510 pF。
输出电压检测
输出DC电压Vout用于PFC控制。该电压成比缩小且电平移动后将输入至差分放大器的输入V_BULK+与V_BULK-，
如图 13 所示。
施加在 V_BULK+处的输入偏移电压为：
电阻
因为线路接地，因此 V_BULK+处的最大输入电压为 1.77V。
施加在 V_BULK-处的输入偏移电压为：
电阻
V_BULK+处的输入电压为：
V_BULK-处的输入电压为：
电容 CBI、CB2、CB3以及电阻
HSA8000 可配置参数
为优化不同的设计，表格 6 中的 HSA8000 参数可供设计人员进行配置，这些参数在功能描述部分进行了详
细说明。
• Software Development Environment (SDE) Installation Guide（详见 Installation/Helios and
Connection with Helios 章节）
• Helios Test and Control User’s Guide
图 14 展示了 Helios 界面中可配置的 PFC 参数的屏幕截图，图中显示的数值均为其默认值。
HSA8000 原理图清单
HSA8000 需要在噪声环境下依旧保持正常运行，因此该芯片需要一定的保护功能以保证正常运行。设计人员
应当遵循电磁兼容性的最优方案，以及本节中所列举的建议。具体来说，去耦电容应当放置在距离电源引脚
最近的位置，RSTB 引脚应当与上拉 10kΩ 电阻相连。消除或减弱噪声也是避免噪声到达电源、I/O 及晶体
引脚处的原因。
电源连接
HSA8000 支持 3–3.6V 的单极性电源。该芯片有两个电源引脚：一个 VDDA（引脚 3），一个 VDD（引脚 32）。
图 15 展示了该芯片的电源连接，图上两个电容的推荐值为 100nF 及 4.7µF，其中 100nF 的去耦电容应当放
置在靠近电源引脚与地的位置。此外，为更好的去耦，最好在该电源连接中使用低 ESR 电容。
调节器连接
HSA8000 有两个 1.8V 调节器：1V8A（引脚 1）与 1V8D（引脚 31）；以及一个 3V 调节器：3V0A (引脚 14)。
图 16 展示了该芯片的调节器连接，图上两个电容的推荐值为 100nF 及 4.7µF，其中 100nF 的去耦电容应当
放置在靠近调节器引脚与地的位置。此外，为更好的去耦，最好在该调节器连接中使用低 ESR 电容。
0.9V 偏置参考电压连接
如图 17 所示，HAS8000 有一个 0.9 V 偏置参考电压，该引脚需连接一个 10nF 的去耦电容。此外，为更好的
去耦，最好在该调节器连接中使用低 ESR 电容。