无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:08

STM32F103ZET6 RAM调试教程

经过查资料和看刘凯老师的视频教程,摸索出了STM32F103ZET6的方法。废话少说,上步骤。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:11

.在MDK下工程管理按钮下多建立一个调试模式。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:13

2.选中刚才建立的RAM调试模式,为什么要这样做呢?学习过DSP的同学都清楚,这里是模仿DSP项目调试中的两种方式,是为了有多钟调试模式,Flash模式,RAM模式。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:13

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:15

3.进入Option for target 配置RAM调试模式下的工程选项。
STM32F103ZET6 RAM空间是64K,用前面40K做ROM,后面做RAM,由于STM32 RAM空间映射地址是0x20000000(可以去查手册),所以配置如下。自己加法琢磨下就通了。至于ROM空间和RAM分配多大,看实际工程需要。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:16

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:16

本帖最后由 无法去污粉 于 2022-3-25 15:19 编辑

4.Output 选项下,设置如下图所示,hex文件处勾选和不勾选是一样的,关键是Select Folder for Object
因为你在flash调试模式下会生成一堆Obj文件,但是现在是RAM模式,所以生成的文件不能放在一起,会冲突,需要另外在工程根目录下,新建文件夹保存这些文件,就通过这里选择。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:20

5.Listing,Usr C/C++ ASM 这四项不用动,保持Flash模式下就行了。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:20

6.Linker 菜单下,这里要注意,先不勾选Use memory Layout Form Targer Dialog,是为了要更改ROM和RAM的起始地址,配置如下。配置好了,再把其勾上。可以前后连接文件下对比XXX.sct文件,可以看到地址是变化的。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:21

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:22


无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:23

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:24

8.ultitle中的设置如下所示。
又是ROM和RAM空间的选择。

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:24

无法去污粉 发表于 2022-3-25 15:25

9.好了,重新编译一下。先点击**,再点击调试。就完成了,这样子做就可以延长Flash的寿命了。注意,RAM调试中软件Reset是没用的,程序指针会跑回Flash处,所以希望MDK5.2以后的版本能不能解决这个问题吧。

童雨竹 发表于 2023-11-5 07:18


使用的开关管数量多,且要求参数一致性好,驱动电路复杂,实现同步比较困难。这种电路结构通常使用在1KW以上超大功率开关电源电路中。

Pulitzer 发表于 2023-11-5 08:21


需要让电源热稳定,在稳定后再进行测试

Clyde011 发表于 2023-11-5 09:24


确保在开关管导通,

公羊子丹 发表于 2023-11-5 10:17


反激式电路与正激式电路相反,

Wordsworth 发表于 2023-11-5 11:20


理解了共模噪声我们就知道共模电感就知道为什么共模电感会接在交流一侧了
页: [1] 2
查看完整版本: STM32F103ZET6 RAM调试教程