STM32F4的外部晶振不同带来的改变
(1)stm32f4xx.h里面的(2)
system_stm32f4xx.c
外部内存的FSMC也要改(改了肯定OK,不改行不行我不大清楚)(后来试验了,下面这句不改也可以)
readWriteTiming.FSMC_CLKDivision = 0x04;改为 writeTiming.FSMC_CLKDivision = 0x00;
就是说经过上面两处改动,系统时钟仍然是168M,如下:
#if defined(STM32F40_41xxx)
uint32_t SystemCoreClock = 168000000;
#endif /* STM32F40_41xxx */ 说还要改
修改STM32F407工程的Options设置
在Option for target"Flash"窗口中,选择Target页面,修改STMicroelectronics STM32F407VG栏中Xtal(MHz)的值为25.0
这个链接STM32晶振8M改12M方法说出了修改Options设置的原因。
这个链接STM32使用非8M晶振时如何修改代码 也说出了修改Options设置的原因。和上面链接原因一样,就是影响调试的观察值。
那么25M好 还是8M好呢? 另外感觉 ST早期的例子用的是8M,后期的例子用的是25M 和不同的系列有关吧
具存储功能的存储器芯片也能加密
大部分能够读取或者识别Flash上的数据就能够获得Firmware文件
主从定时器门控的方式
都可以产生指定个数的PWM脉冲
中断计数的方式实现简
当PWM频率较高时,频繁的中断将影响程序运行的效率
从定时器为TIM2,从模式选择为门控模式,触发源选择ITR0,开启定时器2中断。
输出了5个频率为10KHz的PWM脉冲
使能主从模式,触发事件选择为更新事件,不需要开启中断。
根据实际需求选择用哪种方式
主定时器为TIM1,通道2配置为PWM输出
主从定时的方式占用CPU资源少
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