N32G031 LP RUN模式
今天在看N32G031用户手册低功耗章节的时候发现有一个LPRUN模式，让系统处于LSI或者LSE的低频工作状态，以此来减小功耗。然后深入了解发现LPRUN模式也有两种配置，一种是让flash处于正常工作状态，另一种是让Flash进入深度睡眠模式，这种状态下可以让功耗变得更低
为了验证用户手册这一说法，我配置好代码做了低功耗实验，代码配置如下：
flash正常工作状态：
Delay(200);
PWR_EnterLowPowerRunMode(PWR_LPRUN_EFLASH_ACTIVE,LSI); //选择LPRUN模式下flash功耗状态、时钟源LSI或LSE
Delay(1);
PWR_ExitLowPowerRunMode();
SetSysClockToPLL(48000000,SYSCLK_USE_HSI);flash深度睡眠模式
Delay(200);
PWR_EnterLowPowerRunMode(PWR_LPRUN_EFLASH_DEEEPSTANDBY,LSI);
Delay(1);
PWR_ExitLowPowerRunMode();
SetSysClockToPLL(48000000,SYSCLK_USE_HSI);
然后就发现一个很奇怪的现象，同样都是delay（1）之后离开低功耗，但是两者的时间却相差很大
发现问题了，仔细看了用户手册才知道，flash深度睡眠模式需要在代码在SRAM中运行时才可以配置，如果在flash中运行就不能配置，怪不得测试的时候发现两个模式功耗差不多，原来是没有配置成功
后续找了一下怎么让代码在SRAM中运行，发现了国民的一篇应用笔记，让代码在SRAM中运行
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