SUUY79 发表于 2022-9-10 12:31

华大低功耗外接晶振如何选择？

本帖最后由 SUUY79 于 2022-9-10 12:41 编辑

HC32L110系列的低功耗片子，想采用外部32.768K的低速晶振来获取高精度的低功耗操作，现在的问题是：晶振的参数：晶振频率：32.768K，负载电容：12.5PF，并联电容：1.1PF，ESR:70K
计算得到的gmcrit=2.195uA/V，按照跨导裕度要求，芯片gm要大于5倍gmcrit，也就是说芯片的要gm≥11uA/V才行，查芯片手册gm=2.5uA/V，远不能满足要求？
另外，关于REXT的取值，一般取匹配电容的容抗值，则当匹配电容选择22PF时，计算到的REXT=220KΩ，是否合理？

SUUY79 发表于 2022-9-10 18:36

小华的FAE在哪里？

weifeng90 发表于 2022-9-10 22:46

REXT一般接不接都影响不大

liszt99 发表于 2022-9-10 23:58

REXT一般不接，还有就是低功耗芯片的话，建议使用7pf 的32.768KHZ的晶体。

SUUY79 发表于 2022-9-11 00:10

就算是7PF的，这个也不能满足要求啊，算下来也需要3.8~42.5uA/V

SUUY79 发表于 2022-9-11 00:13

就算7pf 的32.768KHZ的晶体，算下来gm也要大于3.9uA/V啊

gouguoccc 发表于 2022-9-11 23:19

LSE还是功耗大

SUUY79 发表于 2022-9-12 08:44

liszt99 发表于 2022-9-10 23:58
REXT一般不接，还有就是低功耗芯片的话，建议使用7pf 的32.768KHZ的晶体。

选个爱普生的FC-135R的话凑凑合合，参数如下
晶振频率：32.768K，负载电容：7PF，并联电容：1.0PF，ESR:50K
算下来要求CPU的gm≥2.7uA/V，凑凑合合{:sad:}

SUUY79 发表于 2022-9-12 08:44

gouguoccc 发表于 2022-9-11 23:19
LSE还是功耗大

有具体数据没？

SUUY79 发表于 2022-9-12 08:53

SUUY79 发表于 2022-9-12 08:44
选个爱普生的FC-135R的话凑凑合合，参数如下
晶振频率：32.768K，负载电容：7PF，并联电容：1.0PF，ESR:5 ...

50K应该不行，因为芯片支持的范围是65K~85K {:sad:}
难搞

liszt99 发表于 2022-9-12 10:59

SUUY79 发表于 2022-9-12 08:53
50K应该不行，因为芯片支持的范围是65K~85K
难搞

你搞错概念了吧，晶体的ESR越小越好，这个不用管芯片的支持。不过越小ESR的晶体，价格也会高点。

SUUY79 发表于 2022-9-12 13:38

看错了，典型值看成最小值了{:lol:}

guijial511 发表于 2022-9-12 14:41

没有那么精贵，影响不大。

Bowclad 发表于 2022-9-16 19:20

有具体数据吗？

tpgf 发表于 2022-10-8 11:55

低功耗和外接晶振有什么关系呢 应该是不影响的吧

qcliu 发表于 2022-10-8 12:08

理论上，一个完美的电容，自身不会产生任何能量损失，但是实际上，因为制造电容的材料有电阻，电容的绝缘介质有损耗，各种原因导致电容变得不完美。这个损耗在外部，表现为就像一个电阻跟电容串连在一起，所以就起了个名字叫做等效串连电阻。

　　ESR的出现导致电容的行为背离了原始的定义。

　　比如，我们认为电容上面电压不能突变，当突然对电容施加一个电流，电容因为自身充电，电压会从0开始上升。但是有了ESR，电阻自身会产生一个压降，这就导致了电容器两端的电压会产生突变。无疑的，这会降低电容的滤波效果，所以很多高质量的电源啦一类的，都使用低ESR的电容器。

　　同样的，在振荡电路等场合，ESR也会引起电路在功能上发生变化，引起电路失效甚至损坏等严重后果。

　　所以在多数场合，低ESR的电容，往往比高ESR的有更好的表现。

drer 发表于 2022-10-8 12:16

一般是不是有源晶振比无源晶振的功耗更大呢

coshi 发表于 2022-10-8 12:43

越小ESR的晶体，价格会高出多少呢

kxsi 发表于 2022-10-8 13:35

如何电容不匹配的话 会使得功率变大吗

wiba 发表于 2022-10-8 13:59

低功耗的芯片和非低功耗的芯片在晶振的选择上有区别吗
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