技术交流-MCU中加载预驱
想问一下，为什么预驱集成在MCU中耐压做不高，预驱耐压对MCU都有哪些影响？ 线路电压越高就要求其对邻近电路的绝缘要求越高，常规制程的集成电路不是专为高电压而设计，绝缘性能非常有限，所以集成式预驱很难做到高电压。 ufbycd 发表于 2022-10-20 09:38线路电压越高就要求其对邻近电路的绝缘要求越高，常规制程的集成电路不是专为高电压而设计，绝缘性能非常有 ...
谢谢解答！
还有一般预驱的耐压都由哪些参数决定呀？
如果要驱动一定瓦数的电机，那这个瓦数相应的对MCU，对预驱，对MOS的要求，都会体现在哪些参数上呢？ 本帖最后由 鸥芯电驱港港 于 2022-10-21 09:32 编辑
super小蔚 发表于 2022-10-20 17:38
谢谢解答！
还有一般预驱的耐压都由哪些参数决定呀？
如果要驱动一定瓦数的电机，那这个瓦数相应的对MCU ...
芯片端预驱耐压我们主要看芯片的VS脚耐压，这部分可以看VS连接在驱动桥臂的什么位置就知道了。预驱瓦数一般只与功率器件有关，如MOS，IGBT，IPM等功率大小有管，预驱只是提供功率器件的开通电压和电流，看预驱输出电压和电流能不能适配好驱动对应的功率器件。MCU本身与驱动电机瓦数没有直接关系。MOS一般100W一下使用上桥PMOS，下桥NMOS（有点电路简单），大约100W使用上下桥都使用NMOS。PMOS导通内阻大，速度慢，价格贵，电机电流大的话MOS发热严重，时间长最终会导致MOS损坏。
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