N32芯片执行flash操作事项
本帖最后由 sy12138 于 2022-10-24 19:42 编辑#每日话题#
今天我们来简单总结一下N32芯片flash擦除和写操作时的注意事项
[*]进行闪存编程操作时（写或擦除），必须打开内部的 RC 振荡器（HSI）；
[*]Flash写操作仅支持 32 位操作，写操作之前需要先擦写Flash；
[*]Flash写操作需要地址字对齐，且地址范围不能超出芯片内存
[*]以防因电气干扰等原因产生对 Flash 的意外操作，对Flash的操作应按照解锁→操作→上锁顺序执行大家还有一些其他好的建议吗？可以一起来分享分享
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