中颖烧写/擦除抗干扰措施
由于程序代码中包含主程序区或 E2PROM 区等区域的擦除、编写功能的程序，当系统受到强干扰时，擦
除编写操作就具有一定的风险性。比如在做 ESD/EFT 试验时，程序可能会跑飞，如果直接从外部跑飞到擦除
编写代码处，可能会将非程序意图的改写或擦除，导致系统运行异常。
鉴于此原因,建议对 Flash 主程序区、EEPROM 区或其他区域操作时增加抗干扰措施：
(1) 由于只有当开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1，才会启动或等待 Flash 的擦除/烧写，所以在操作起
始的处增加软件标志，然后在开始标志位 STRT@FLASH_CR 置 1 前检查该软件标志是否匹配，如果标志位
不匹配，操作直接退出，因此不会启动烧写或擦除动作。
(2) 要充分利用 Flash 操作定时器的功能，可以在操作起始处启动 Flash 操作定时器，计算配置好允许操
作的窗口时间，使得程序正常运行到执行擦除或编写操作时，Flash 操作定时器计数值刚好在可执行的窗口范
围内，这样可以避免因程序跑飞导致的误操作。
(3) 尽量避免带参数的主程序区或 EEPROM 区烧写擦除子函数调用。因为程序跑飞时，参数是随机值，
容易误操作。所以建议主程序区或 EEPROM 区擦除子函数，不带参数，函数中对地址赋常值，擦除某固定扇
区。 这些操作应该没什么用
关键是做好电路供电稳定性，尽量减小电源纹波。
另外最主要的一条：做E2操作前，把强干扰源关闭，比如电机，这种东西最容易干扰电源。 充分考虑电源对单片机的影响。 采取相应的抗干扰措施，合理设计PCB布线 在进行烧写或擦除操作时，需要注意多种因素，并采取相应的抗干扰措施，从而确保芯片的可靠性和稳定性。 注意烧写或擦除时的环境温度、湿度等因素。 电源做得好，整个电路的抗干扰就解决了一大半。 抑制干扰的措施主要包括屏蔽、隔离、滤波、接地和软件处理等方法 各个关键部位配置适当的退藕电容，以提高电源回路的抗干扰能力。 给单片机电源加滤波电路或稳压器 通过坚固的物理设计和选择高品质的电子元器件，以确保芯片在受到外部冲击、震动或振荡等干扰时仍能正常工作。 采用经过测试和验证的编程器来烧写或擦除芯片，确保编程器本身没有漏洞和问题，同时要注意编程器与芯片之间的连接质量和稳定性。 在设计电路板时，合理布局并连接良好的接地线 所以电磁兼容设计必须要考虑 在进行烧写或擦除前，先备份芯片中的重要数据，以防止意外丢失或损坏。 抗干扰还得PCB设计 一定要先备份芯片中的重要数据 中颖芯片烧写 / 擦除时，抗干扰措施包括：用带屏蔽的下载线，缩短线缆长度；烧写环境远离强电磁源；供电采用稳压电源并加滤波电容；操作时避免触碰芯片引脚；软件上添加校验机制，确保数据完整性。
中颖烧写 / 擦除抗干扰措施：1. 供电端加电容滤波，确保电压稳定；2. 烧写线短短且屏蔽，减少电磁干扰；3. 擦写时禁用中断，避免程序干扰；4. 操作前关闭无关外设，降低噪声；5. 加校验机制，验证数据完整性；6. 环境远离强电磁源，如电机、高频设备。
这些措施都很实用，尤其是软件标志位的检查，可以避免非预期的擦除或烧写操作。
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