x1k2w3 发表于 2023-3-27 04:03

关于HK32F030MF4P6的EEPROM读写问题？

HK32F030MF4P6的EEPROM共448字节，每字写入数据的时候需要先擦除再写入，写入一个字节至少需要5MS，能否先把448个字节全部擦除，再根据需要写入相应的地址？有哪位大神帮忙解答一下。

x1k2w3 发表于 2023-3-29 00:30

自己顶一下，没兄弟帮忙回复一下吗？

jimmhu 发表于 2023-4-4 21:15

复位后如何能够保持内部ram储存的数据?

bartonalfred 发表于 2023-4-4 21:19

如何使用HK32F030的Flash来模拟eeprom

linfelix 发表于 2023-4-4 21:33

flash模拟eeprom稳定吗

lzbf 发表于 2023-4-4 21:39

怎么使用HK32F030写IAP的bootloader和APP

adolphcocker 发表于 2023-4-4 21:57

模拟EEPROM模块的使用   

51xlf 发表于 2023-4-4 22:23

写flash一定要擦除一页吗               

mmbs 发表于 2023-4-4 22:29

HK32F030MF4P6是否有片内eeprom

iyoum 发表于 2023-4-7 09:39

内部有没有可以用来存储数据的EEPROM

wangdezhi 发表于 2023-4-7 10:17

HK32F030的硬件I2C稳定吗

mollylawrence 发表于 2023-4-7 18:30

其内置的eeprom如何使用？            

modesty3jonah 发表于 2023-4-7 18:36

eeprom 可写多少次               
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