讨论请教，这两种电平转换电路哪个更好一点呢？
如图所示，实现3.3V--1.8V的电平转换，这两个电路哪个速度更快，更稳定呢？谢谢！仿真看不出来。
感觉集电结是不是要导通呀，换mos管吧 两个图，都用 NMOS管更好（DS带二极管）2n7002
左边的可以双向转换，还有过压保护的作用，速度也快
右边的电路会有延迟，但上升下降缘好
速度快没用。左边电路不可靠。低电平电压有可能高于0.9v。 如果要做波形整形，用右边，否则左边的响应快些 1. 晶体管实现高速信号转换的前提条件是不进入保护状态。右边的电路在V4为高电平时会进入饱和状态，所以下降沿会变慢；
2. 左边的电路，在V6为低电平的时候，BC间的二极管会从反偏变成正偏，此时E和C就会反向，此时E的状态与外电路有关。 左边电路修改一下，把发射极与集电极对调连接。饱和压降会小些。逻辑低电平就会安全些。 其实，下面这个电路更好—— 简洁、高速、稳定：
本帖最后由 zlf1208 于 2023-4-17 10:20 编辑
附件是我以前做的一个仿真，供楼主参考。
还有一种电路附件中没有提到，楼主右边的电路，将三极管的集电极接5V，在基极到地之间接一个1.8+0.7=2.5V的稳压管，这样三极管就不会进入饱和状态，电路速度做到MHz是很轻松的。
xmar 发表于 2023-4-17 10:01
其实，下面这个电路更好—— 简洁、高速、稳定：
这太费电了 左图共基电路，发射极输入，集电极输出，速度最高。
看到好多说用NMOS的，要注意，MOS栅极有较大电容，这种应用可能会影响速度，共基电路能提供10MHz左右的速度。 本帖最后由 670776685 于 2023-4-17 11:40 编辑
貌似左边更好一点,但是上升沿会有一个过冲尖峰. 受益匪浅，感谢诸位！ 我还是喜欢用芯片的 本帖最后由 zyj9490 于 2023-4-17 20:00 编辑
左的电路画错了吧，应是E极在左边在对，叫做共基输出，针对低阻负载的电流信号的。右边的经典的共集输出，针对中等负载的电压信号的。共基输出的电流模，共集输出的是电压模。针对不同的负载而定。也可以转换叫共基共集电路结构。二者核心都降低了MILLer效应。但增加了过冲（欠阻尼）的风险。 zyj9490 发表于 2023-4-17 19:55
左的电路画错了吧，应是E极在左边在对，叫做共基输出，针对低阻负载的电流信号的。右边的经典的共集输出， ...
左边电路没问题，我用得很多的电平移位电路，频率也可达到几百KHz的量级。右边的才有问题，三极管会饱和，速度严重降低。
虽然Q1会饱和，但退出饱和的速度依然很快，不会大于33ns。这主要得益于射随器强烈的负反馈。
Q1有饱和，Q2不会饱和。但Q1、Q2开关速度差别不大。
根开关速度有关系吧 xmar 发表于 2023-4-18 15:28
虽然Q1会饱和，但退出饱和的速度依然很快，不会大于33ns。这主要得益于射随器强烈的负反馈。 ...
不是要正反馈才关断（退饱和）的快吗？
Ib 没有设得很大才是退饱和快的原因吧？
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