王栋春 发表于 2023-5-16 22:22

LLC MOSFET 在死区内Vgs振荡问题

如题，先上波形图，黄色1：下管MOSFET 的Vgs；蓝色3：下管MOSFET的Vds；红色4：谐振槽电流；问题一：在LLC启动过程，上管打出驱动时，下管有将近2V的振荡电压，预接近MOSFET的Vth（2Vmin），担心共通；
问题二：在死区时间内，下管导通之前，或者说上管关断时，下管的Vgs振荡，振荡幅值超出Vth，
问题三：总感觉这个启机电流过大，不知道是否上述问题有影响，
目前有尝试过初级PCB走线问题，但试下并没有太大改善。






sanzi666 发表于 2023-5-29 14:03

很大可能是测试干扰造成的

sanzi666 发表于 2023-6-2 08:02

用差分探头直接测试MOS，管脚处的VGS电压，

王栋春 发表于 2023-6-2 08:04

sanzi666 发表于 2023-6-2 08:02
用差分探头直接测试MOS，管脚处的VGS电压，

收到，等忙完回工作室按坛友的方法操作一下。
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