HC32F005C6PA内部FLASH读取的问题
本帖最后由 wuzhihuiqqyy 于 2024-8-6 17:37 编辑见附件图片 像是没有写成功，你解锁flash写保护没。 chenqianqian 发表于 2024-8-8 08:08
像是没有写成功，你解锁flash写保护没。
晚上我看下 写之前是否有先擦除 未擦除目标地址数据吧，写入数据之前，必须擦除对应地址的数据才能正常写入。若未擦除直接覆盖写入，会导致写入失败，读取时出现不一致的情况。 写入地址非对齐，遵循32位（4字节）地址对齐原则，写入地址必须是4的倍数。若写入地址为非对齐，会出现编程对齐错误，导致写入和读取不一致。 操作期间总线被占用，在进行写或擦除操作时，总线处于阻塞状态，此时读取Flash数据会出现失败，导致读取的数据与写入的不一致。 电压不稳定，处于外界干扰较大的环境，供电可能暂降，对Flash进行操作时，若低于特定电压会出现编程失败，从而导致写入和读取不一致。 中断影响，在写Flash的时候，如果有中断触发，很可能导致写失败，进而出现写入和读取不一致的问题。 在进行写入操作之前，先擦除对应地址的数据。通常擦除数据是以页、扇区为单位，写入某个地址数据前，需先读出整页（或扇区）数据并缓存，再擦除整页，最后写入新数据。 通过“取余”判断地址，确保写入地址遵循32位（4字节）地址对齐原则，只能是4的倍数。 通过标志判断写/擦除操作是否完成，在操作完成后再进行读取操作，避免在总线阻塞状态下读取数据。 完善硬件电路，确保在操作Flash时电源稳定，避免在写入过程中断电或电压暂降。 在写Flash的时候，关闭中断，写完再打开中断，防止中断触发导致写失败。
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