sheflynn 发表于 2025-6-5 18:06

Flash寿命通常为10,000到100,000次，频繁的写入和擦除操作会缩短Flash的使用寿命

biechedan 发表于 2025-6-5 21:26

HC32L190芯片的Flash擦写周期并未直接在数据手册中明确标注。

weifeng90 发表于 2025-6-5 21:40

不是叫擦写周期，而是擦写次数，flash最低都是10万次以上。

bartonalfred 发表于 2025-6-6 10:56

HC32L190 的 Flash 擦写周期典型值为 10 万次

modesty3jonah 发表于 2025-6-6 13:14

HC32L190的Flash存储器可以承受10万次的擦除和写入操作。

primojones 发表于 2025-6-6 15:23

写入操作通常更快，可能在几十微秒到几百微秒之间。

benjaminka 发表于 2025-6-8 19:54

HC32L190的Flash擦写周期通常为10万次

adolphcocker 发表于 2025-6-8 23:00

工业级 MCU 支持 100 万次以上

abotomson 发表于 2025-6-9 02:04

这一擦写周期是衡量Flash存储器耐用性的重要指标，对于需要频繁进行数据存储和更新的应用来说尤为重要。

cashrwood 发表于 2025-6-10 10:44

Flash擦写周期通常为10万次

abotomson 发表于 2025-6-10 12:33

通常在几百毫秒到几秒之间，具体时间需要参考HC32L190的数据手册。

dspmana 发表于 2025-6-10 14:20

这一参数是衡量Flash耐久性的重要指标，直接影响芯片在频繁数据更新场景下的使用寿命。

juliestephen 发表于 2025-6-10 17:08

HC32L190的Flash擦写寿命为10万次，即在正常使用条件下，可承受约10万次的擦除和写入操作

jkl21 发表于 2025-6-10 19:18

操作电压和温度会影响Flash的写入和擦除速度

louliana 发表于 2025-6-10 21:29

Flash擦写周期通常在10,000至100,000次之间。

AIsignel 发表于 2025-6-11 14:20

擦写时用错电压会伤Flash，得用对电压哦。

1988020566 发表于 2025-6-12 13:24

在擦写周期内，Flash的数据保持时间通常为10年以上

linfelix 发表于 2025-6-12 15:29

每个 Flash 存储单元可以承受约 10 万次的擦除和写入操作

sanfuzi 发表于 2025-6-12 17:32

单字节写入：约 50 微秒            

loutin 发表于 2025-6-12 19:59

擦写时需严格按照数据手册配置时钟、电压等参数，避免因错误操作导致Flash损坏
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