[技术问答] HC32L190的擦写周期是多久

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sheflynn 发表于 2025-6-5 18:06 | 显示全部楼层
Flash寿命通常为10,000到100,000次,频繁的写入和擦除操作会缩短Flash的使用寿命
biechedan 发表于 2025-6-5 21:26 | 显示全部楼层
HC32L190芯片的Flash擦写周期并未直接在数据手册中明确标注。
weifeng90 发表于 2025-6-5 21:40 来自手机 | 显示全部楼层
不是叫擦写周期,而是擦写次数,flash最低都是10万次以上。
bartonalfred 发表于 2025-6-6 10:56 | 显示全部楼层
HC32L190 的 Flash 擦写周期典型值为 10 万次
modesty3jonah 发表于 2025-6-6 13:14 | 显示全部楼层
HC32L190的Flash存储器可以承受10万次的擦除和写入操作。
primojones 发表于 2025-6-6 15:23 | 显示全部楼层
写入操作通常更快,可能在几十微秒到几百微秒之间。
benjaminka 发表于 2025-6-8 19:54 | 显示全部楼层
HC32L190的Flash擦写周期通常为10万次
adolphcocker 发表于 2025-6-8 23:00 | 显示全部楼层
工业级 MCU 支持 100 万次以上
abotomson 发表于 2025-6-9 02:04 | 显示全部楼层
这一擦写周期是衡量Flash存储器耐用性的重要指标,对于需要频繁进行数据存储和更新的应用来说尤为重要。
cashrwood 发表于 2025-6-10 10:44 | 显示全部楼层
Flash擦写周期通常为10万次
abotomson 发表于 2025-6-10 12:33 | 显示全部楼层
通常在几百毫秒到几秒之间,具体时间需要参考HC32L190的数据手册。
dspmana 发表于 2025-6-10 14:20 | 显示全部楼层
这一参数是衡量Flash耐久性的重要指标,直接影响芯片在频繁数据更新场景下的使用寿命。
juliestephen 发表于 2025-6-10 17:08 | 显示全部楼层
HC32L190的Flash擦写寿命为10万次,即在正常使用条件下,可承受约10万次的擦除和写入操作
jkl21 发表于 2025-6-10 19:18 | 显示全部楼层
操作电压和温度会影响Flash的写入和擦除速度
louliana 发表于 2025-6-10 21:29 | 显示全部楼层
Flash擦写周期通常在10,000至100,000次之间。
AIsignel 发表于 2025-6-11 14:20 | 显示全部楼层
擦写时用错电压会伤Flash,得用对电压哦。
1988020566 发表于 2025-6-12 13:24 | 显示全部楼层
在擦写周期内,Flash的数据保持时间通常为10年以上
linfelix 发表于 2025-6-12 15:29 | 显示全部楼层
每个 Flash 存储单元可以承受约 10 万次的擦除和写入操作
sanfuzi 发表于 2025-6-12 17:32 | 显示全部楼层
单字节写入:约 50 微秒              
loutin 发表于 2025-6-12 19:59 | 显示全部楼层
擦写时需严格按照数据手册配置时钟、电压等参数,避免因错误操作导致Flash损坏
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