pixhw 发表于 2024-11-20 21:04

电路驱动PMOS

当电源电压大于PMOS 管的最大栅源电源时，不能直接把栅极拉到地，需要一点特殊的电路来限制栅极驱动电压。有的地方是用电阻分压器做的，比如这种：https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/0d7a0bce6d7f908227f8c2d083d9cfa3.pngNPN 三极管导通时，MOS 管栅极电压是两个电阻中间的电压。这种设计最大的缺点就是太慢了，要使MOS 管导通，只能通过电阻缓慢给栅极充电。如果需要更快的开启速度，可以考虑用大伙都知道的射极输出器电路，如下：https://i-blog.csdnimg.cn/blog_migrate/414f23d854a04383299154d2b4e4209a.png栅极驱动电压通过6.8V 稳压管D2 和串联的10k 电阻得到，当下方的NPN 三极管导通时，PNP 三极管Q13 的基极电压大约是30V - 6.8V，以电源正极为参考，就是-6.8V；相应的，MOS 管的栅极电压就是大约-6.1V。如果电源电压范围比较稳定，也可以用电阻分压器替代稳压管。这种电路用射极输出器驱动栅极，MOS 管开启速度显然要快的多；而MOS 管关闭时，只能通过1K 电阻R27 给栅极放电，所以关断速度比较慢。另外，图中的1K 电阻两端电压是6.1V，那么MOS 管导通后，流过PNP 三极管的常态电流就是6.1mA，而三极管的CE 电压是30 - 6.1 = 23.9V，那么PNP 三极管上的功耗就有大约0.15W，不算很小，需要关注一下发热。开启MOS 管的瞬间电流肯定会大不少，但是时间很短应该没问题。如果想减少PNP 管上的功耗，只能增大放电电阻的阻值，那MOS 关断就更慢了。

小小蚂蚁举千斤 发表于 2024-11-21 15:24

PMOS与NMOS哪个使用的比较多？

星辰大海不退缩 发表于 2024-11-22 16:18

NMOS是不是更好

中国龙芯CDX 发表于 2024-11-24 19:14

PNP 三极管其实也能实现这个功能的

tpgf 发表于 2024-12-4 09:48

对于高电压应用，通常需要一个NMOS作为前级驱动器来控制PMOS，以防止高压击穿单片机

晓伍 发表于 2024-12-7 10:39

PMOS是一种场效应晶体管，其导通条件是栅极与源极之间的电压差低于阈值时，S极和D极之间会导通

八层楼 发表于 2024-12-7 15:31

当PMOS的S极与D极电压差异不大时，可以直接通过单片机IO口控制

观海 发表于 2024-12-7 19:01

可以使用三极管（BJT）来驱动PMOS，其中C1用于加速BJT打开，C2用于BJT快速关断，Zener用于VGS钳位，避免瞬时电压超过MOS的VGSmax耐压

guanjiaer 发表于 2024-12-7 21:19

在需要控制电源正极的场合，PMOS被广泛使用，因为它可以更安全地控制高电压

heimaojingzhang 发表于 2024-12-8 08:03

对于高电压应用，通常需要一个NMOS作为前级驱动器来控制PMOS，以防止高压击穿单片机

LOVEEVER 发表于 2024-12-12 09:19

当电源电压大于PMOS 管的最大栅源电源时，不能直接把栅极拉到地，需要一点特殊的电路来限制栅极驱动电压
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