CW32L010F8P6深度睡眠模式下的电流消耗测试
本帖最后由 suncat0504 于 2024-11-16 10:41 编辑前面测试了在正常工作状态下CW32L010F8P6和CW32F030F8P6的电流消耗对比情况。本次测试将在深度睡眠模式下，两个开发板消耗的电流情况。
CW32L010F8P6的电路图：
CW32F030F8P6的电路图：
依旧选择测量点在CW32L010F8P6开发板的J23处、CW32F030F8P6开发板的J21处，主程序代码修改为配置完系统时钟就立即进入深度睡眠模式，方便直接测量电流。
CW32L010F8P6的主程序代码：int32_t main(void) {
SYSCTRL_HSI_Enable(SYSCTRL_HSIOSC_DIV2);
SYSCTRL_GotoDeepSleep();
while (1) {
}
}
CW32F030F8P6的主程序代码：
int main(void) {
RCC_HSI_Enable(RCC_HSIOSC_DIV2);//配置系统时钟为HSI 24M
DeepSleepModeTest();
while (1) {
}
}
上一次测试中失误，忘了系统主频对功耗的影响，这次修改为相同的系统主频，均为24MHz（根据注释，没实测，两个开发板均使用16MHz的晶振）。
CW32F030F8P6开发板的电流结果为2.7μA，
而CW32L010F8P6开发板的电流只有0.2μA，这差距十分明显了。
从这两次的测试结果上看，CW32L010F8P6的低功耗特性非常抢眼了。
低功耗模式0.2uA非常低的 深度睡眠模式下的电流非常低，外设少的情况下能够待机很长时间 这么低的电流 我们如何才能测得到呢 用什么手段来测试呢 tpgf 发表于 2024-12-3 15:34
这么低的电流 我们如何才能测得到呢 用什么手段来测试呢
肯定的用精度高的微按、纳安电流表测量。万用表的量程上虽然能匹配，但感觉误差会很大。 CW32L010F8P6在深度睡眠模式下的电流消耗非常低，大约为0.2μA
在STM32单片机中，RAM的大小因型号而异，如STM32F103C8T6有20KB的SRAM
在深度休眠模式下，CPU停止运行，高速时钟（HSE、HSIOSC）自动关闭，而低速时钟（LSE、LSI、RC10K、RC150K）保持原状态不变，从而大大降低了功耗
CW32L010F8P6在深度睡眠模式下的电流消耗远小于休眠模式，非常适合需要长时间待机的应用场合
在用户实际使用中能达到这个数值吗
依旧选择测量点在CW32L010F8P6开发板的J23处、CW32F030F8P6开发板的J21处，主程序代码修改为配置完系统时钟就立即进入深度睡眠模式，方便直接测量电流。
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