TLE9877使用EEPROM完成数据读写
本帖最后由 zh123zh 于 2024-12-6 13:09 编辑我目前在使用TLE9877芯片的Flash内的EEPROM空间完成数据读写功能，地址范围为0x1100F000~0X1100FFFF，共4k占据一个扇区。
遇到的问题是：
1、EEPROM只能是按页写入，是一次至少写入一页的内容吗？能不能跨页写入呢？
2、设计了一次单独写入一个字节的函数，但是内部还是通过数据的方式调用ProgramPage()函数写入一页的内容，而且如果不从一页的起始地址开始写入，那么起始地址开始自动填充0xFF直到该页写入数据的地址，那么是必须要从首地址开始写入数据吗？
3、单字节写入设计，而不是向新地址写入时都将数组的数据全部写入。
4、数据读取也是一次只能读取一页的数据吗？能不能跨页读取呢？
5、有没有推荐的数据写入读取的校验函数设计呢？
好像一次不能跨页读写，这个应该是内部构造决定的。我记得应该可以按照单元写的。如果一次性写入的数据很少的话，不妨按照单元方式写。 即使是U盘这样的介质，也有固定单元大小，比如512字节。如果不足，一样会有浪费。 EEPROM通常是按页写入的，这意味着你一次至少需要写入一页的内容。跨页写入通常是不支持的，因为EEPROM的物理结构决定了它必须以页为单位进行写入操作。如果你尝试跨页写入，可能会导致数据损坏或写入失败。 你提到的单字节写入函数内部调用ProgramPage()函数写入一页的内容，这是正确的。EEPROM的写入机制要求你从页的起始地址开始写入数据。如果你不从页的起始地址开始写入，那么从起始地址到你实际写入数据的地址之间的部分会自动填充为0xFF。 为了确保数据的正确性和完整性，建议你从页的起始地址开始写入数据。 每次写入一个字节时，实际上是在写入一页数据。因此，你需要确保在写入之前，先将该页的其他数据读取出来，然后与新数据合并，再写入整个页 数据读取通常是可以跨页读取的。你可以从任意地址开始读取任意长度的数据，而不受页大小的限制。读取操作不会像写入操作那样受到页边界的限制 为了确保数据写入和读取的正确性，推荐使用CRC校验，使用循环冗余校验（CRC）算法对写入和读取的数据进行校验。CRC是一种常用的错误检测码，能够有效地检测数据传输或存储过程中的错误 按页的话还是flash，eep是字节访问最小单元 nuan11nuan 发表于 2025-1-24 12:19
EEPROM通常是按页写入的，这意味着你一次至少需要写入一页的内容。跨页写入通常是不支持的，因为EEPROM的物 ...
按页写入就不是eeprom啊 计算数据的校验和，并在写入时将校验和一并存储。读取时重新计算校验和并与存储的校验和进行比较，以确保数据的完整性 如果芯片支持，可以使用ECC来检测和纠正数据中的错误。 在使用时，你可以在写入数据前计算CRC，并将CRC值一并写入EEPROM。读取数据时，重新计算CRC并与存储的CRC值进行比较，以确保数据的正确性 读数据也不可以夸页读取的，一般是不支持
TLE9877芯片的Flash内的EEPROM空间完成数据读写功能 在TLE9877的EEPROM编程中，写操作是按页进行的。如果你只想写入一个字节，理论上不能直接写单个字节，而是需要先读取整个页的数据，修改目标字节的内容，然后重新写入整页。 如果你希望通过编程来修改EEPROM中的一个字节，必须先读取该页的数据，修改相应的字节，然后再将整页的数据重新写入。 不能跨页进行单独写入，如果你需要在两个不同的页地址上写入数据，你必须分两次写入，分别操作两个页。
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