采用RC延时电路
良好的电源和接地设计可以减少电路中的干扰和噪声，提高系统的稳定性。
输出波形失真
死区时间是指在PWM信号的一个周期内，当一个MOSFET关断而另一个MOSFET还未开启的时间间隔。这个时间间隔可以防止两个MOSFET同时导通，从而避免直通现象。
死区控制（Dead-Time Control）是指在上下桥臂 MOSFET 的 PWM 信号之间插入一段互不重叠的时间间隔，确保一个 MOSFET 完全关断后，另一个 MOSFET 才开始导通。
死区时间用于消除 MOSFET 的关断延迟和寄生参数（如米勒电容）的影响。
通常根据MOSFET的数据手册选择合适的死区时间，典型值在几百纳秒到几微秒之间。
死区时间的大小需要根据 MOSFET 的开关特性和电路的实际情况进行调整。一般来说，死区时间应该足够长，以确保一个 MOSFET 完全关断，但又不能过长，以免影响电路的效率。
MOSFET 通常以半桥或全桥拓扑结构工作。
电路中的寄生电感和电容会导致电压和电流的瞬态变化，可能引发误触发。
死区时间不能太短，否则无法有效避免直通。
死区时间过短可能无法有效避免直通，而过长则会降低电路的效率，增加开关损耗。需要根据 MOSFET 的开关速度、负载特性等因素进行合理选择。可以通过实验和仿真来确定最佳的死区时间。
利用微控制器内部的硬件死区生成器来自动插入死区时间。这种方式不需要软件干预，可靠性高。
使用专门的死区控制芯片或驱动芯片
死区时间是指在PWM信号的切换过程中，上一通道关闭与下一通道开启之间存在的时间间隔。这个时间间隔用于防止两个互补的PWM信号在切换时同时导通，从而避免直通现象。
通过PWM死区，可以防止电机因快速切换而损坏。
高PWM频率时，启用break机制可避免异常下MOSFET直通，保护电路。
驱动电路的性能对 MOSFET 的开关特性有很大影响。要确保驱动电路能够快速、准确地响应 PWM 信号，并且具备足够的驱动能力。
效率降低，发热严重。
MOSFET因过流损坏风险增加。
电磁干扰（EMI）加剧。
死区时间的设定需要在系统可靠性和输出波形质量之间找到平衡点，通常死区时间为微秒级别。