如何利用硬件PWM死区控制避免MOSFET直通？

发表于 2025-4-8 14:24

采用RC延时电路

发表于 2025-4-8 17:31

良好的电源和接地设计可以减少电路中的干扰和噪声，提高系统的稳定性。

发表于 2025-4-9 21:26

输出波形失真

发表于 2025-4-10 00:30

死区时间是指在PWM信号的一个周期内，当一个MOSFET关断而另一个MOSFET还未开启的时间间隔。这个时间间隔可以防止两个MOSFET同时导通，从而避免直通现象。

发表于 2025-4-10 13:50

死区控制（Dead-Time Control）是指在上下桥臂 MOSFET 的 PWM 信号之间插入一段互不重叠的时间间隔，确保一个 MOSFET 完全关断后，另一个 MOSFET 才开始导通。

发表于 2025-4-10 14:26

死区时间用于消除 MOSFET 的关断延迟和寄生参数（如米勒电容）的影响。

发表于 2025-4-10 14:43

通常根据MOSFET的数据手册选择合适的死区时间，典型值在几百纳秒到几微秒之间。

发表于 2025-4-10 16:33

死区时间的大小需要根据 MOSFET 的开关特性和电路的实际情况进行调整。一般来说，死区时间应该足够长，以确保一个 MOSFET 完全关断，但又不能过长，以免影响电路的效率。

发表于 2025-4-10 17:04

MOSFET 通常以半桥或全桥拓扑结构工作。

发表于 2025-4-10 17:30

电路中的寄生电感和电容会导致电压和电流的瞬态变化，可能引发误触发。

发表于 2025-4-10 18:01

死区时间不能太短，否则无法有效避免直通。

发表于 2025-4-10 18:32

死区时间过短可能无法有效避免直通，而过长则会降低电路的效率，增加开关损耗。需要根据 MOSFET 的开关速度、负载特性等因素进行合理选择。可以通过实验和仿真来确定最佳的死区时间。

发表于 2025-4-10 21:12

利用微控制器内部的硬件死区生成器来自动插入死区时间。这种方式不需要软件干预，可靠性高。

发表于 2025-4-10 22:04

使用专门的死区控制芯片或驱动芯片

发表于 2025-4-10 22:18

死区时间是指在PWM信号的切换过程中，上一通道关闭与下一通道开启之间存在的时间间隔。这个时间间隔用于防止两个互补的PWM信号在切换时同时导通，从而避免直通现象。

发表于 2025-4-12 09:44

通过PWM死区，可以防止电机因快速切换而损坏。

发表于 2025-4-12 13:28

高PWM频率时，启用break机制可避免异常下MOSFET直通，保护电路。

发表于 2025-4-12 21:04

驱动电路的性能对 MOSFET 的开关特性有很大影响。要确保驱动电路能够快速、准确地响应 PWM 信号，并且具备足够的驱动能力。

发表于 2025-4-12 21:21

效率降低，发热严重。
MOSFET因过流损坏风险增加。
电磁干扰（EMI）加剧。

发表于 2025-4-12 21:32

死区时间的设定需要在系统可靠性和输出波形质量之间找到平衡点，通常死区时间为微秒级别。

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