HC32f030深度睡眠的功耗问题
最近使用HC32F030做项目，在单片机进入深度睡眠，确保IO没有漏电流后，功耗依然有接近200UA，请问单片机内部还要关闭什么东西？请赐教。 说明HC32F460的DMA不能同时使用多个通道 学习一下啊！感觉有点知识慌了 在HC32F030进入深度睡眠（Deep Sleep）模式后，若功耗仍接近200μA，需系统排查内部模块的漏电路径 未关闭的外设时钟：即使进入深度睡眠，若外设（如ADC、USART、TIM等）的时钟未完全关闭，仍会产生静态功耗。 内部电压调节器：默认情况下，VREG可能处于低功耗模式而非完全关闭，导致持续漏电。 未配置的引脚状态，若GPIO未正确配置为模拟输入（AIN）或高阻态（Hi-Z），可能通过上拉/下拉电阻或外部电路形成漏电路径。 唤醒源配置不当，若配置了不必要的唤醒源（如RTC、LVD等），可能导致模块持续工作。 未关闭的Flash/RAM保留区，深度睡眠模式下，若未明确关闭Flash或RAM的保留区，可能产生额外功耗。 建议啊，在进入深度睡眠前，显式关闭所有外设时钟 确保无外设时钟残留（可通过调试器观察时钟状态寄存器） 深度睡眠模式下，可通过寄存器配置关闭VREG或切换至更低功耗模式，值得注意的是关闭VREG可能导致部分模块无法唤醒，需根据应用需求权衡。 查阅芯片手册确认VREG的具体控制位。将所有未使用的GPIO配置为模拟输入或高阻态 通常是内部未完全关闭的外设或功能模块导致。
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