SiC器件有什么优点？你知道吗
1. 更高的耐压能力SiC具有更高的击穿电场强度（约是Si的10倍），这使得在相同耐压下，SiC器件可以设计得更薄、更小，或者在更高电压下工作。
2. 更低的导通损耗
SiC器件的导通电阻（R<sub>on</sub>）比硅器件小，尤其在高电压下，这意味着更低的导通损耗和更高的效率。
3. 更高的工作温度
SiC的热导率高、禁带宽度大，可以承受高达200°C甚至更高的工作温度，适用于高温恶劣环境（如汽车、航空、工业场景）。
4. 更高的开关速度
SiC器件具有更快的开关速度和更短的恢复时间，有利于提高系统工作频率，减少电感和电容的尺寸，从而减小系统体积和重量。
5. 更强的抗辐射能力
SiC器件对辐射更稳定，适合航天、核能等特殊领域。
典型应用场景
电动车（EV）电机驱动器和车载充电器
光伏逆变器
工业电源和高频电源
电网和能源储存系统
航空和军事电子设备
SiC器件主要有以下两类：SiC二极管（肖特基二极管）和SiC MOSFET
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