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antusheng 发表于 2025-4-29 11:27

SiC MOSFET的使用 方法

引脚数量：3个（或4个）
标准引脚：

G（Gate）：栅极，控制信号输入（高/低电平）

D（Drain）：漏极，接高电压端

S（Source）：源极，接地或低电压侧

部分封装还有第4引脚：

K（Kelvin Source）：源极检测引脚，减小寄生电感对栅极驱动的干扰，提高开关性能

antusheng 发表于 2025-4-29 11:28

使用方法
与硅MOSFET类似，但要注意以下几点：

典型封装举例
TO-247：大功率场合常用

TO-220：中小功率系统常见

SMD封装（如 D2PAK）：适合体积敏感场合

antusheng 发表于 2025-4-29 11:29

一般应用电路拓扑结构如下


Vbus (+) ---+
            |
         [负载]
            |
         Drain
         |   
      SiC MOSFET
         |
          Source
         |
         地（GND）

Gate ← 驱动电路 ← 控制器

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