周半梅
发表于 2025-5-19 07:23
用L0跑EEPROM模拟写入，写几次就卡死了
看着官方例程抄的，循环写几轮之后程序直接停住，也没错误提示，不太好排查。
Clyde011
发表于 2025-5-19 07:28
有没有可能是中断打断了写流程？
公羊子丹
发表于 2025-5-19 07:29
我以前写多了直接进HardFault。
周半梅
发表于 2025-5-19 07:30
Flash写入前要先解锁！
帛灿灿
发表于 2025-5-19 07:31
模拟EEPROM真挺麻烦的。
童雨竹
发表于 2025-5-19 07:32
写之前得判断busy位有没有清。
万图
发表于 2025-5-19 07:33
有没有定时写入，别一直改数据。
Wordsworth
发表于 2025-5-19 07:33
Flash sector擦除周期也别太频繁。
Bblythe
发表于 2025-5-19 07:34
写前不擦除会失败。
Pulitzer
发表于 2025-5-19 07:35
建议加个缓存写保护。
Uriah
发表于 2025-5-19 07:36
我加了CRC判断，写失败就跳过了。
averyleigh
发表于 2025-5-21 15:49
STM32的Flash可能被设置了写保护，需要使用特定的工具或命令来解除写保护。
saservice
发表于 2025-5-21 15:53
STM32的Flash编程和擦除操作是分开的，需要先擦除再编程。
powerantone
发表于 2025-5-21 16:08
未屏蔽中断导致冲突?
sesefadou
发表于 2025-5-21 16:39
在多页中冗余存储关键数据，提高可靠性。
stormwind123
发表于 2025-5-21 17:03
地址未正确对齐，可能引发写入错误或卡死。
kmzuaz
发表于 2025-5-21 17:45
在进行Flash操作期间禁用全局中断，防止其他中断打断当前操作。
probedog
发表于 2025-5-21 18:00
在多任务或中断环境下，直接操作EEPROM可能导致竞争条件，进而引发卡死。
maqianqu
发表于 2025-5-21 18:16
电源不稳定或时钟配置错误也可能导致Flash操作失败
classroom
发表于 2025-5-21 19:00
在写入EEPROM时屏蔽中断...