flycamelaaa
发表于 2025-5-21 19:30
检查地址是否有对齐。
sdlls
发表于 2025-5-21 19:33
如果只进行了编程而没有擦除，或者擦除和编程的顺序错误，都可能导致写入失败。
nomomy
发表于 2025-5-21 20:07
将模拟EEPROM的存储区域放置在独立的Flash扇区（如.eeprom段），避免与代码存储区重叠。
powerantone
发表于 2025-5-21 20:30
在写入EEPROM后，立即读取并校验写入的数据是否正确。若校验失败，可尝试重新写入或进行错误处理。
wangdezhi
发表于 2025-5-21 20:56
正确地执行Flash的擦除和编程操作
olivem55arlowe
发表于 2025-5-21 21:40
STM32的Flash写入必须按字（Word，4字节）对齐，且写入前需确保Flash无正在进行的操作（如擦除或写入）。若未正确等待操作完成（如通过FLASH->SR标志位检查），可能导致数据错误或Flash状态异常。
onlycook
发表于 2025-5-21 22:00
检查硬件连接和电源稳定性。
i1mcu
发表于 2025-5-21 22:16
如果有中断发生并尝试访问相同的Flash区域，可能会引起冲突，导致系统不稳定。
uytyu
发表于 2025-5-21 22:59
在进行Flash操作时，如果没有正确处理中断和异常，可能会导致程序卡死。
fengm
发表于 2025-5-23 09:55
单独测试Flash擦除和写入功能，确认基础操作无误后再集成到EEPROM模拟逻辑中。
ingramward
发表于 2025-5-23 10:40
在Flash空闲区域填充固定值（如0xFF），防止未初始化数据被误读。
i1mcu
发表于 2025-5-23 11:48
避免使用 Bootloader 或程序代码所在页，建议使用用户 Flash 末尾区域。
zerorobert
发表于 2025-5-23 12:09
为EEPROM写入操作添加超时机制，避免无限等待。
sesefadou
发表于 2025-5-23 12:33
在写入Flash之前，通常需要先擦除对应的扇区或页面。如果未正确擦除或擦除不完全，可能导致写入失败或数据错误。
mikewalpole
发表于 2025-5-23 12:54
在多扇区间轮换存储位置，避免长期重复擦写同一扇区。
wilhelmina2
发表于 2025-5-23 13:17
在STM32中，对Flash进行写入或擦除操作之前，必须先解锁Flash。如果忘记解锁，写入操作将不会生效，可能导致程序卡死
sanfuzi
发表于 2025-5-23 13:55
STM32的Flash擦除是按扇区（Sector）进行的，若模拟EEPROM的存储区域与代码存储区（如.text段）位于同一扇区，擦除操作会清除整个扇区的内容，包括正在执行的代码，导致程序计数器（PC）指向无效地址，系统卡死。
gygp
发表于 2025-5-23 15:01
在Flash操作期间临时关闭全局中断（如__disable_irq()），操作完成后恢复。
hilahope
发表于 2025-5-23 16:00
模拟EEPROM时，若写入地址未正确计算或超出预设存储范围，可能导致数据覆盖关键区域
mnynt121
发表于 2025-5-23 16:22
Flash的擦写次数有限（通常约1万次），但几次写入后卡死更可能与操作错误而非寿命相关。