用L0跑EEPROM模拟写入，写几次就卡死了

1万 · 2025-5-21 19:30

检查地址是否有对齐。

1万 · 2025-5-21 19:33

如果只进行了编程而没有擦除，或者擦除和编程的顺序错误，都可能导致写入失败。

只看该作者 · 2025-5-21 20:07

将模拟EEPROM的存储区域放置在独立的Flash扇区（如.eeprom段），避免与代码存储区重叠。

只看该作者 · 2025-5-21 20:30

在写入EEPROM后，立即读取并校验写入的数据是否正确。若校验失败，可尝试重新写入或进行错误处理。

2万 · 2025-5-21 20:56

正确地执行Flash的擦除和编程操作

只看该作者 · 2025-5-21 21:40

STM32的Flash写入必须按字（Word，4字节）对齐，且写入前需确保Flash无正在进行的操作（如擦除或写入）。若未正确等待操作完成（如通过FLASH->SR标志位检查），可能导致数据错误或Flash状态异常。

只看该作者 · 2025-5-21 22:00

检查硬件连接和电源稳定性。

2万 · 2025-5-21 22:16

如果有中断发生并尝试访问相同的Flash区域，可能会引起冲突，导致系统不稳定。

1万 · 2025-5-21 22:59

在进行Flash操作时，如果没有正确处理中断和异常，可能会导致程序卡死。