用L0跑EEPROM模拟写入，写几次就卡死了

1万 · 2025-5-21 19:30

检查地址是否有对齐。

1万 · 2025-5-21 19:33

如果只进行了编程而没有擦除，或者擦除和编程的顺序错误，都可能导致写入失败。

只看该作者 · 2025-5-21 20:07

将模拟EEPROM的存储区域放置在独立的Flash扇区（如.eeprom段），避免与代码存储区重叠。

1万 · 2025-5-21 20:30

在写入EEPROM后，立即读取并校验写入的数据是否正确。若校验失败，可尝试重新写入或进行错误处理。

2万 · 2025-5-21 20:56

正确地执行Flash的擦除和编程操作

只看该作者 · 2025-5-21 21:40

STM32的Flash写入必须按字（Word，4字节）对齐，且写入前需确保Flash无正在进行的操作（如擦除或写入）。若未正确等待操作完成（如通过FLASH->SR标志位检查），可能导致数据错误或Flash状态异常。

只看该作者 · 2025-5-21 22:00

检查硬件连接和电源稳定性。

2万 · 2025-5-21 22:16

如果有中断发生并尝试访问相同的Flash区域，可能会引起冲突，导致系统不稳定。

1万 · 2025-5-21 22:59

在进行Flash操作时，如果没有正确处理中断和异常，可能会导致程序卡死。

只看该作者 · 2025-5-23 09:55

单独测试Flash擦除和写入功能，确认基础操作无误后再集成到EEPROM模拟逻辑中。

只看该作者 · 2025-5-23 10:40

在Flash空闲区域填充固定值（如0xFF），防止未初始化数据被误读。

2万 · 2025-5-23 11:48

避免使用 Bootloader 或程序代码所在页，建议使用用户 Flash 末尾区域。

只看该作者 · 2025-5-23 12:09

为EEPROM写入操作添加超时机制，避免无限等待。

只看该作者 · 2025-5-23 12:33

在写入Flash之前，通常需要先擦除对应的扇区或页面。如果未正确擦除或擦除不完全，可能导致写入失败或数据错误。

只看该作者 · 2025-5-23 12:54

在多扇区间轮换存储位置，避免长期重复擦写同一扇区。

只看该作者 · 2025-5-23 13:17

在STM32中，对Flash进行写入或擦除操作之前，必须先解锁Flash。如果忘记解锁，写入操作将不会生效，可能导致程序卡死

只看该作者 · 2025-5-23 13:55

STM32的Flash擦除是按扇区（Sector）进行的，若模拟EEPROM的存储区域与代码存储区（如.text段）位于同一扇区，擦除操作会清除整个扇区的内容，包括正在执行的代码，导致程序计数器（PC）指向无效地址，系统卡死。

2万 · 2025-5-23 15:01

在Flash操作期间临时关闭全局中断（如__disable_irq()），操作完成后恢复。

只看该作者 · 2025-5-23 16:00

模拟EEPROM时，若写入地址未正确计算或超出预设存储范围，可能导致数据覆盖关键区域

只看该作者 · 2025-5-23 16:22

Flash的擦写次数有限（通常约1万次），但几次写入后卡死更可能与操作错误而非寿命相关。