Clyde011
发表于 2025-6-5 07:30
写EEPROM模拟的时候Flash老被擦坏，是写得太频繁？
用了官方提供的EEPROM模拟方案，结果一测寿命就快到头了，是不是哪里写入逻辑不合理？
Clyde011
发表于 2025-6-5 07:32
我最后换了带真EEPROM的芯片偷懒。
公羊子丹
发表于 2025-6-5 07:33
Flash寿命有限，不建议频繁写。
周半梅
发表于 2025-6-5 07:34
ST官方的EEPROM模拟库有寿命管理机制。
帛灿灿
发表于 2025-6-5 07:35
数据一样的就别重复写。
童雨竹
发表于 2025-6-5 07:36
分页轮换写可以减轻磨损。
万图
发表于 2025-6-5 07:37
检查是不是每次都擦整页？
Wordsworth
发表于 2025-6-5 07:38
我加了缓存判断是否需要更新。
Bblythe
发表于 2025-6-5 07:38
把写入频率降下来效果很好。
Pulitzer
发表于 2025-6-5 07:39
HAL库自己不会判断内容变化。
Uriah
发表于 2025-6-5 07:40
EEPROM模拟区域分大点也能延长寿命。
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