Pulitzer
发表于 2025-6-8 07:39
F0的Flash擦写寿命到底怎么测
有啥靠谱方法能估计Flash快写坏没？我写了几百次就开始出问题了。
Clyde011
发表于 2025-6-8 07:41
真想测只能长期写压测脚本。
公羊子丹
发表于 2025-6-8 07:41
有人说可以用CRC对比判断可靠性。
周半梅
发表于 2025-6-8 07:42
我写了大概两千次才出问题。
帛灿灿
发表于 2025-6-8 07:43
ST datasheet写的是1万次，但环境差也会提前坏。
童雨竹
发表于 2025-6-8 07:44
你有加Wear Leveling算法吗？
万图
发表于 2025-6-8 07:44
把Flash当EEPROM用本来就挺伤。
Wordsworth
发表于 2025-6-8 07:45
有人用外接EEPROM专门做日志。
Bblythe
发表于 2025-6-8 07:46
多扇区轮流写，也能延长点寿命。
Pulitzer
发表于 2025-6-8 07:46
用仿真器能测Flash写入次数吗？
Clyde011
发表于 2025-6-8 07:47
我定期备份到另一块Flash区域。
codingtuzi
发表于 2025-6-8 12:48
几百次就坏掉了，基本上不太可能。
Flash寿命到了一般是flash擦除无效。
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