BMP561与 BQ27Z561 ESD测试报告对比，哪个更高？
BMP561与 BQ27Z561 ESD测试报告对比，哪个更高？最近有朋友给我推荐了极海的BMP561产品，ESD设计的比TI好，我不相信，于是就从朋友那里拿到了样品，对ESD/LU进行了实测，结果极海ESD更高，具体高在哪里呢？听我一一道来：第一：BMP561-HBM高实验1：HBM人体放电模型测试实验 测试对象:1.Geehy_BMP561单芯片ESD方案，2.BQ27Z561单芯片ESD方案 测试方法：在MK2机台，根据芯片数据手册梳理所有管脚耐压值，电源、IO属性形成pinlist。梳理完pinlist，按照如下组合分配管脚，
HBMtest
All Other Pins To VSS(±)500V~8000V,Step 500V
All Other Pins To BAT(6V)(±)500V~8000V,Step 500V
IO To IO(±)500V~8000V,Step 500V
根据表格pin组合以及步进，pin组合是根据JS-001标准实施，MK2机台执行测试。 调试好自动化测试程序需设置的参数为（以下来源于数据手册，可公开）：
Pin GroupTypePin(s)
VSSGROUNDB2
BAT(6V)POWERD2
IP(2.1V)_TSINPUTB1
IP(6.3V)_SRNINPUTC1
IP(6.3V)_BAT_SNSINPUTC2
IP(6.3V)_SRPINPUTD1
IP(6V)_CEINPUTD3
IO(6V)_INTOUTPUTA1
IO(6V)_PULSOUTPUTA2
IO(6V)_SDA/HDQOUTPUTA3
IO(6V)_SCLOUTPUTB3
IO(6V)_NUOUTPUTC3
IO A1,A2,A3,B1,B3,C1,C2,C3,D1,D3
测试结果如下： 1. Geehy_BMP561单芯片HBM结果（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外）：
GroupPinPin Name1
Zap LevelCriteria
BAT(6V)D2BAT±8000VPassed
IP(2.1V)_TSB1TS±8000VPassed
IP(6V)_CED3CE±8000VPassed
IP(6.3V)_BAT_SNSC2BAT_SNS±8000VPassed
IP(6.3V)_SRPD1SRP±8000VPassed
IP(6.3V)_SRNC1SRN±8000VPassed
IO(6V)_INTA1INT±8000VPassed
IO(6V)_PULSA2PULS±8000VPassed
IO(6V)_SCLB3SCL±8000VPassed
IO(6V)_SDA/HDQA3SDA/HDQ±8000VPassed
IO(6V)_NUC3NU±8000VPassed
VSSB2VSS±8000VPassed
GroupPinPin Name23
Zap LevelCriteriaZap LevelCriteria
BAT(6V)D2BAT±7000VCC (after)±7000VCC (after)
IP(2.1V)_TSB1TS±7000VPassed±7000VPassed
IP(6V)_CED3CE±7000VPassed±7000VPassed
IP(6.3V)_BAT_SNSC2BAT_SNS±7000VPassed±7000VPassed
IP(6.3V)_SRPD1SRP±7000VPassed±7000VPassed
IP(6.3V)_SRNC1SRN±7000VPassed±7000VPassed
IO(6V)_INTA1INT±7000VPassed±7000VPassed
IO(6V)_PULSA2PULS±7000VPassed±7000VPassed
IO(6V)_SCLB3SCL±7000VPassed±7000VPassed
IO(6V)_SDA/HDQA3SDA/HDQ±7000VPassed±7000VPassed
IO(6V)_NUC3NU±7000VPassed±7000VPassed
VSSB2VSS±7000VPassed±7000VPassed
结果上看，打了3颗HBM，1颗可以直达8KV，另两颗6.5KV，那么按照水桶效应，整体判定为±6.5KV2. BQ27Z561单芯片HBM结果：
GroupPinPin Name123
Zap LevelCriteriaZap LevelCriteriaZap LevelCriteria
BAT(6V)D2BAT3000VCC (after Zap)3000VCC (after Zap)3000VCC (after Zap)
VSSB2VSS3000VCC (Zap to BAT(6V))3000VCC (Zap to BAT(6V))3000VCC (Zap to BAT(6V))
IP(2.1V)_TSB1TS±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IP(6V)_CED3CE±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IP(6.3V)_BAT_SNSC2BAT_SNS±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IP(6.3V)_SRPD1SRP±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IP(6.3V)_SRNC1SRN±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IO(6V)_INTA1INT±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IO(6V)_PULSA2PULS±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IO(6V)_SCLB3SCL±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IO(6V)_SDA/HDQA3SDA/HDQ±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
IO(6V)_NUC3NU±3000VPassed±3000VPassed±3000VPassed
结果上看，打了3颗HBM，3颗±2.5KV，着实比BMP561低了±4KV. 实验2：CDM带电器件模型测试（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外） 1、Geehy_BMP561单芯片CDM结果
Test Model: CDM TESTESD Sensitivity Passed: ±2000V
UnitTest conditionSample QuantityPassed VoltsIV Result Description
C1
C2
C3CDM 250V~2000V,Step 250V FOR ALL 12 BALLS3±2000VPASS
2、BQ27Z561单芯片CDM结果：
Test Model: CDM TESTESD Sensitivity Passed: ±2000V
UnitTest conditionSample QuantityPassed VoltsIV Result Description
C1
C2
C3CDM 250V~2000V,Step 250V FOR ALL 12 BALLS3±2000VPASS
CDM二者无差别。
第二：BMP561-LU PASS
实验3：LU闩锁效应（ESD结果会有三方实验室报告，可以对外）1、Geehy_BMP561单芯片LU结果
Test Model: LATCH-UP test 125C
UnitTrigger ModeTest Pin GroupSample QuantityTested ResultV or I Limits
L1
L2
L3I-Test(positive)IP(2.1V)_TS3PASS +200mA+3.150V
IO(2.1V)_NUPASS +200mA+3.150V
IP(6V)_CEPASS +200mA+9.000V
IO(6V)_INTPASS +200mA+9.000V
IO(6V)_PULSPASS +200mA+9.000V
IO(6V)_SCLPASS +200mA+9.000V
IO(6V)_SDA/HDQPASS +200mA+9.000V
IP(6.3V)_BAT_SNSPASS +200mA+9.450V
IP(6.3V)_SRPPASS +200mA+9.450V
IP(6.3V)_SRNPASS +200mA+9.450V
I-Test(negative)IP(2.1V)_TSPASS -200mA-1.050V
IO(2.1V)_NUPASS -200mA-1.050V
IP(6V)_CEPASS -200mA-3.000V
IO(6V)_INTPASS -200mA-3.000V
IO(6V)_PULSPASS -200mA-3.000V
IO(6V)_SCLPASS -200mA-3.000V
IO(6V)_SDA/HDQPASS -200mA-3.000V
IP(6.3V)_BAT_SNSPASS -200mA-3.150V
IP(6.3V)_SRPPASS -200mA-3.150V
IP(6.3V)_SRNPASS -200mA-3.150V
Vsupply Over-voltage testBAT(6V)PASS +9.000 V+600mA
2、BQ27Z561单芯片LU结果：
Test Model: LATCH-UP test@125C
UnitTrigger ModeTest Pin GroupSample QuantityTested ResultV or I Limits
L3
L4I-Test(positive)IP(2.1V)_TS3PASS +200mA+3.15V
IP(6V)_CEPASS +200mA+9.0V
IP(6.3V)_BAT_SNSPASS +200mA+9.45V
IP(6.3V)_SRPPASS +200mA+9.45V
IP(6.3V)_SRNPASS +200mA+9.45V
IO(6V)_INTPASS +200mA+9.0V
IO(6V)_PULSPASS +200mA+9.0V
IO(6V)_SCLPASS +200mA+9.0V
IO(6V)_SDA/HDQPASS +200mA+9.0V
IO(2.1V)_NUPASS +200mA+3.15V
I-Test(negative)IP(2.1V)_TSPASS -200mA-1.05V
IP(6V)_CEPASS -200mA-2.750V
IP(6.3V)_BAT_SNSPASS -200mA-3.15V
IP(6.3V)_SRPPASS -200mA-3.15V
IP(6.3V)_SRNFAIL -200mA-3.15V
IO(6V)_INTPASS -200mA-3.0V
IO(6V)_PULSPASS -200mA-3.0V
IO(6V)_SCLPASS -200mA-3.0V
IO(6V)_SDA/HDQPASS -200mA-3.0V
IO(6V)_NUPASS -200mA-1.05V
Vsupply Over-voltage testBAT(6V)PASS +9.0 V+600mA
总结 1、从整体的ESD测试结果来看，对比BQ27Z561单芯片ESD结果，BMP561在HBM比BQ27Z561的高出±4KV，LU 125°高温下BMP561过了，反而TI没过，这一点要为国产芯片点赞！从未来芯片应用上，抗ESD能力明显强于 BQ27Z561，CDM测试结果一致，两者比较接近。 2、单从HBM/LU来看，BMP561抗静电能力远远优于BQ27Z561，可以支持用户应用于ESD要求高的场景。如：1、HBM耐压高：HBM测试电压越高（如8KV vs. 4KV），芯片在人体静电放电场景下的防护能力越强，减少因ESD导致的失效风险。2、LU抗干扰强：更高的LU耐压（如100mA vs. 50mA）意味着芯片在电源噪声或瞬态干扰下更不易触发闩锁效应，提升系统稳定性。 极海产品通过各类认证是芯片进入各自对应领域的必备门槛，需从设计、制造到测试全链条协同优化。“如果您正在寻找高可靠性的芯片，欢迎联系极海半导体有限公司获取免费样品（www.geehy.comm）。”
“关注Geehy极海半导体 公众号，回复‘认证’获取完整认证指南。”
页:
[1]