IC开盖会损伤metal吗?为什么静态电流大?
我有一颗不良品IC静态电流大(>100uA),要做EMMI分析,但是开盖后,发现VDD这个PAD上的metal层没有了,其他PAD上的metal也有不同程度的受损,做EMMI分析,也只发现VDD这个PAD上漏电,用金线邦定。在开盖前其他I/O口对VDD能测到ESD保护,开盖后没有了;静态电流开盖后大了30uA。<br /> 请问一下高手,静态电流是什么原因造成的?(邦定还是本身材料?)<br /> 为什么VDD这个PAD上的金属层没有了?(是邦定后就没有了还是开盖腐蚀没有了?)<br /> 为什么只腐蚀掉这个PAD上的metal,其他PAD虽然受损,但是IC表面很完整啊?<br /> 是不是因为IC的PAD的表面少了什么氧化层,而……?<br /> 请高手解释一下,感谢<br />没有人??
怎么没有人回答啊???光照也可以造成电流大
这里人气不旺啊
IC表面一般有钝化层(PSG等材料)保护,但是pad部分的铝则是露出来的,因为要<br /><br />和金丝bond在一起,如果开盖没掌握火候的话, 酸会把铝腐蚀掉.<br /><br /><br />由于芯片受到了损伤,所以测试不能做为失效分析的依据.终于有人说话了
估计被楼上的说中了,看来我的这颗IC白做了,损失了RMB700不说,还陪了一颗IC可以做的
我前面做过几颗开盖的实验,做EMMI分析。让他们小心点儿,可以保证metal不被腐蚀 就行了。你的那个chip 明显腐蚀做过头了。<br /><br />
页:
[1]