current crowding effect
关于“current crowding”是一个朋友不太清楚想问问。我在这里帮发问。不过我也就我的理解谈谈。希望大家讨论，交流，指导。<br /> 我认为：这里有段话，从网上摘的供参考“然而，当器件的横截面变得更小而使电流密度过大时，除了电子在导体中移动以外，移动的电子所产生的“电子风”（windforce）会快速增强并开始推动所有的金属原子。然后原子开始随电子一起运动，我们可以看到从固体的一端到另一端的质量迁移 <br />。这样的结果是阴极端出现空洞，而金属原子则堆积在阳极端。很快，由于阴极端剩余的原子太少，电流密度变得非常大（也叫做电流拥挤），以致于金属都被熔化了，从而使器件失效。”<br /> 可见"current crowd"和电流的密度是密切相关的一个概念。（我说的）<br />当然"current crowding effect"还会引起热效应，使导体（一般是金属）过热甚至融化而影响电路的正常工作。这也是为什么在LAYOUT时要注意走线的宽度。还有这个电流密度与工艺和材料都是密切相关的，不知道说的对不对，还请大家多讨论，交流<br /><br />楼主的理解可能有误
从楼主的描述来看,你所描述应该是电迁移.electromigration,是因为载流子密集(也看到过说crowd的)而与金属离子碰撞而引起的电迁移现象.<br /><br />在以往的传统的半导体器件理论中,"current crowding effect"中文意思是"电流集边效应", 是指在大电流的情况下, 载流子更容易从NPN管的发射极的有效边流进去从而造成了电流的集中,如果单位长度的有效线长的电流密度过大就会造成损伤.下图是从 <<The art of analog layout>>第一版第8章给出的电流集边效应的描述.<br />所谓的发射极有效边长是指靠近(或正对)基极连接孔那侧的发射极边长.<br />在陈金松编著的<<模拟集成电路设计>>指出, 有效边长的电流密度不要超过0.16mA/um.当然,面队成本的压力,很多人会挑战这一推荐值的.<br />电流集边的原因就来自图中的pinch导致无法使基极的电位均匀分布,很显然,<br />在靠近基极电位孔的这一侧的发射极能获得较高的基极电位而造成较大的有效的Vbe,所以电流就大.注意, Vbe仅升高18mV就能增加一倍的电流.<br /><br />当然我不能确认楼主的朋友要哪种crowd.<br /><br /><br />https://bbs.21ic.com/upfiles/img/200812/20081222145724384.jpg
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