从楼主的描述来看,你所描述应该是电迁移.electromigration,是因为载流子密集(也看到过说crowd的)而与金属离子碰撞而引起的电迁移现象.<br /><br />在以往的传统的半导体器件理论中,"current crowding effect"中文意思是"电流集边效应", 是指在大电流的情况下, 载流子更容易从NPN管的发射极的有效边流进去从而造成了电流的集中,如果单位长度的有效线长的电流密度过大就会造成损伤.下图是从 <<The art of analog layout>>第一版第8章给出的电流集边效应的描述.<br />所谓的发射极有效边长是指靠近(或正对)基极连接孔那侧的发射极边长.<br />在陈金松编著的<<模拟集成电路设计>>指出, 有效边长的电流密度不要超过0.16mA/um.当然,面队成本的压力,很多人会挑战这一推荐值的.<br />电流集边的原因就来自图中的pinch导致无法使基极的电位均匀分布,很显然,<br />在靠近基极电位孔的这一侧的发射极能获得较高的基极电位而造成较大的有效的Vbe,所以电流就大.注意, Vbe仅升高18mV就能增加一倍的电流.<br /><br />当然我不能确认楼主的朋友要哪种crowd.<br /><br /><br />
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楼主
