raoxianbin 发表于 2014-1-1 22:17

有关2812外扩FALSH

如题，我想在2812的外围外扩一个flash芯片，我选用的是AM29LV160DB-90EI信号，但是现在我遇到一个问题，就是查看这款芯片资料时，却没有发现相应的操作指令，例如擦除指令，

void erase_flash_cmd(void)
{
        FLASH040_CTRL1 = 0xaa;       
        delay(5);
        FLASH040_CTRL2 = 0x55;       
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0x80;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0xaa;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL2 = 0x55;
        delay(5);
        FLASH040_CTRL1 = 0x10;
        delay(5);
}

我看一些别的芯片，擦除操作也是这样的（但是我在手册里却没看见相关的指令，不知道是我找的手册的问题，还是什么，），我第一次做这种扩展，都不是很了解，希望有相关经验的人，帮我解答解答，谢谢大家了！

玄德 发表于 2014-1-1 22:58

这个芯片，和 SRAM 的操作一样。

楼主貌似概念不清。

raoxianbin 发表于 2014-1-2 09:21

玄德 发表于 2014-1-1 22:58 static/image/common/back.gif
这个芯片，和 SRAM 的操作一样。

楼主貌似概念不清。

恩    我的确不是很清楚他们之间的联系，能麻烦您说的详细点吗，或者您跟我说一下，外扩芯片的流程   难道他的读写指令芯片资料不应该加以说明吗，麻烦您了。。。

玄德 发表于 2014-1-2 13:02

带命令的 FLASH，比如 nand flash，相当于内部有个CPU在管理，所以需要字节写、页擦写这样的命令。

RAM，直接给地址、数据、读或写信号，就可以了。
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