xinxiyiqi 发表于 2008-3-15 20:27

大家帮分析一下可控硅误导通问题

  本电路由两路MOC3081光耦控制双向可控硅BT136，在控制交流接触器380V来实现三相电机的正反转，在刚上电的瞬间，经常会出现两个可控硅同时导通一下，速度很快，（本以为是单片机前级上电时有错误信号）后把光耦电路拿去，同样发生这个问题，说明是可控硅自行误导通，不知可控硅电路哪里有问题，希望高手帮分析一下。谢谢！https://bbs.21ic.com/upfiles/img/20083/2008315202343967.jpg

LHKJG 发表于 2008-3-17 09:49

帮你顶一个。关注

张骏洋 发表于 2008-3-22 13:51

是单片机的问题.

主要问题还是电路问题.因为上电的时候,你的单片机输出的瞬时值不知道.因为有可能你的单片机还没有开始工作,就这一瞬间,你的光耦就导通了.你可以试一下,把电耦的触发方式改一下.把单片机的输出接光耦的上端,把光耦的下端接地.我原来也遇到这个事,后来是这样搞定的.

wqne 发表于 2008-3-23 01:25

可控硅最好还是用触发变压器

可控硅最好还是用触发变压器

sjnh 发表于 2008-3-24 14:12

ｄＶＤ／ｄｔ

关于可控硅开路电压变化率ｄＶＤ／ｄｔ<br />&nbsp;&nbsp;&nbsp;在处于截止状态的双向可控硅两端加一个小于它的ＶＤＦＭ的高速变化的电压时，内部电容的电流会产生足够的栅电流来使可控硅导通。这在高温下尤为严重，在这种情况下可以在ＭＴ１和ＭＴ２间加一个ＲＣ缓冲电路来限制ｄＶＤ／ｄｔ，或可采用高速可控硅。<br />

CC1020 发表于 2010-8-7 17:16

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